Chin. J. Semicond. > Volume 19 > Issue 8 > Article Number: 603

电容耦合三结单电子晶体管特性分析

童明照 , 蒋建飞 and 蔡琪玉

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Abstract: 本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较,具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力

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Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 August 1998

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