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Volume 19, Issue 8, Aug 1998

    CONTENTS

  • 分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

    林峰, 盛篪, 龚大卫, 刘晓晗

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 561

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    在硅分子束外延(MBE)系统中,利用Si和O2共淀积的方法生长出化学配比理想的SiO2,在此基础上生长了Si/SiO2超晶格并观察到其光致发光(PL)谱

  • UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究

    叶志镇, 曹青, 张侃, 陈伟华, 汪雷, 李先杭, 赵炳辉, 李剑光, 卢焕明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 565

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    本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统,在780℃下进行了硅低温外延,取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分布陡峭的薄外延层

  • 氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响

    王辉耀, 王印月, 宋青, 王天民

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 569

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    本文对射频溅射法淀积的a-SiC∶H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究.我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程.在较高的射频功率下淀积的a-SiC∶H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC∶H形成6H-SiC的温度(1000℃).高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相.通过改变射频功率,本文研究了氩离子轰击对a-SiC∶H膜及形成6H-Si

  • 直拉硅单晶中氮关新施主的研究

    张溪文, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 574

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    研究了微氮硅单晶在600~900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响.明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成特性受氮杂质的较大影响.对其形成机制也作了初步探讨

  • Si掺杂B_4C半导体的热电性能

    蔡克峰, 南策文, 李世元

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 579

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    本文探讨了掺Si对B4C半导体的热电性能(包括电导率、热导率及Seebeck系数)及显微结构的影响,应用小极化子跃迁机制,讨论了Si掺杂B4C半导体的传输行为

  • nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

    彭英才, 刘明, 余明斌, 李月霞, 奚中和, 何宇亮

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 583

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    采用常规PECVD工艺,在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜,并进而制备了nc-Si∶H/c-Si量子点二极管.在10~100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性.结果指出,当反向偏压为-7~-9V时,无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶,此起因于在nc-Si∶H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中,由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象.如果进一步改进膜层生长工艺,以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的

  • GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型

    张鸿欣

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 591

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    提出了用于计算GaAs场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型.其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理,使计算工作量下降约二个数量级.计算的峰值沟道温度与修正(包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响)后的电学法测量值的差别约为3℃.文中还用此模型模拟了若干工艺参数对峰值沟道温度的影响

  • Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格PIN探测器的研制

    万建军, 李国正, 李娜, 许雪林, 刘恩科

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 597

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    本文对GexSi1-x/Si应变超晶格PIN探测器进行了分析和设计(其中x=0.6),并制作出了相应的器件.对典型器件的测试结果表明,在1.3μm光照下,反偏电压为-5V时,光响应电流为2.6μA,暗电流为400nA,探测灵敏度为0.153μA/μW.最大总量子效率为14.2%.

  • 电容耦合三结单电子晶体管特性分析

    童明照, 蒋建飞, 蔡琪玉

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 603

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    本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较.结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较,具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力

  • 功率循环中表面安装器件(SMD)热变形的实时全息干涉测量研究

    王卫宁, 梁镜明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 609

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    功率循环中表面安装器件(SMD)的热应变是影响SMD焊点可靠性的重要因素之一.本文采用实时全息干涉度量法对一个具有100条引线的塑料四边引线封装器件(PQFP)在功率循环中的热-力耦合离面变形场进行了测量,获得了分别位于PQFP和印制电路版(PCB)表面的离面变形数值,并根据两者之间的离变形失配,精确地计算出了引线和焊点的变形,为全面了解SMD在功率循环条件下的热力学行为及分析SMD焊点的疲劳失效机理提供了精确可靠的实验数据.

  • 含F栅介质的Fowler-Nordheim效应

    张国强, 严荣良, 余学锋, 高剑侠, 任迪远

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 615

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    本文建立了一套用于MOS电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统,用高频和准静态C-V技术,分析研究了栅介质中F离子的引入所具有的抑制Fowler-Nordheim高场应力损伤的特性,对F离子和高场应力作用机制进行了讨论.

  • 一种新的高性能开关电容排序电路

    林谷, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 620

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    本文首次提出了一种高性能的开关电流型排序电路.它采用开关电流镜跟踪/保持输入信号,通过全对称的WTA(Winner-Take-Al)电路网络求最大,最后分时输出排序结果.该电路结构简单、灵活,规模易扩展.PSPICE模拟结果表明,该电路的输出电流相对于输入电流的偏差小,最大偏差为5μA;排序电路有较高的分辨精度,在5μA以内.由于采用开关电流技术,该电路完全同数字CMOS工艺相兼容,易于VLSI实现

  • IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征

    姜晓鸿, 郝跃, 徐国华

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 625

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    为了进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的.然而,真实的缺陷的形貌是多种多样的.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征.该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索

  • GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究

    程文超, 张子平, 李国华, 牛智川, 徐仲英

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 631

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    利用分子束外延技术,在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线.在低温PL谱上,观测到量子线的发光峰.通过微区、变温和偏振的发光测量,证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的存在.

  • X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度

    曹福年, 卜俊鹏, 吴让元, 郑红军, 惠峰, 白玉珂, 刘明焦, 何宏家

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(8): 635

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    本文通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体(腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合,作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶片亚表面损伤层厚度D的关系曲线,建立了一种定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术,文中将对这种技术进行描述并作讨论.

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