Chin. J. Semicond. > Volume 13 > Issue 10 > Article Number: 642

分子束外延中的掺硼工艺

杨小平 , 蒋维栋 , 樊永良 , 盛篪 , 俞鸣人 and 李炳宗

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Abstract: 我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10~(17)cm~(-3)至4.2×10~(19)cm~(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1992

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