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Volume 13, Issue 10, Oct 1992

    CONTENTS

  • GaAs(100)衬底上金属有机物化学汽相淀积法生长的CdTe膜喇曼光谱研究

    劳浦东, 过毅乐, 张晓峰, 姚文华, 徐飞, 丁永庆

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 589

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    本文报道了GaAs(100)衬底上CdTe外延膜的喇曼光谱,并提出利用实验上测得的CdTe外延膜LO声子峰宽度和位置来确定外延膜应变的处理方法.结果表明,对于厚度达2.5 μm的 CdTe外延膜,仍有应变存在,且应变大小与样品生长条件有关.从喇曼谱的分析中还提取了样品质量的有用信息其质量分析结果得到X射线双晶衍射和扫描电子显微镜表面形貌分析结果的支持.

  • ZnSe-ZnS超晶格材料的光学特性

    王海龙, 崔捷, 沈爱东, 陈云良, 徐梁, 沈玉华

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 595

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    本文首次报道了ZnSe-ZnS应变层超晶格的分子束外延生长.对材料进行了光荧光谱、远红外反射谱及喇曼光谱测量.得到了激子发射峰的移动随ZnSe阱宽及温度的变化以及发射峰半宽随温度的变化.首次在室温下测量到该材料的三级纵声学声子折叠模.通过对远红外反射谱的计算机拟合,确定了ZnSe、ZnS材料的几个基本声子参数.我们还首次在室温下观测到ZnSe-ZnS多量子阱标准具有明显的脉冲压缩效应.

  • 掺锌砷化镓样品的SIMS定量分析

    陈宇, 范垂祯

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 600

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    本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元素进行定量分析,获得了较好的结果,相对偏差小于 8 %,此外,本文讨论了GaAs中杂质元素二次离子产额的覆氧效应,对注入剂量法进行了覆氧修正.

  • Ag与p-InP的肖特基势垒特性

    李晋闽, 郭里辉, 张工力, 侯洵

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 607

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    本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.

  • 光触发晶闸管光敏区结构的研究

    徐静平, 余岳辉, 陈涛

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 614

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    本文对光触发晶闸管的两种不同光敏区结构进行了比较分析,对其中颇具吸引力的结构——有一薄n_E层的槽状光敏区结构,从理论和实验上进行了较为详细的研究,着重分析了不同参数条件下,n_B层厚度与触发灵敏度的关系.通过建立理论模型和进行数值模拟,得到了一些新的结果,表明对于一定的p_P基区参数和n_E层浓度,存在一最佳nE层厚度,在此厚度下,触发功率最小;而且采用此光敏区结构能得到触发灵敏度与dv/dt容量之间的较好折衷,?计算结果和实验吻合较好.

  • InAsPSb/InAs中红外光电探测器

    张永刚, 周平, 单宏坤, 潘慧珍

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 623

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    本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz~(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).

  • 双金属层门阵列跨单元行布线问题与算法

    应昌胜, 洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 629

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    在双金属层门阵列布图中,跨单元行的走线可以直接在单元上进行,这些单元被称为“走线块”.充分地利用走线块上的两层走线空间,可以降低通道密度并减少通孔数.本文给出走线块布线问题及求解算法。包括三个过程:首先确定走线块引线端的相对位置关系,其次是定位引线端,最后实现走线块内的连接.给出的算法已经用C语言实现并嵌入一门阵布图系统.实例运行结果表明提出的算法可以有效地降低通道密度和提高通道布通率.

  • 热解CVD方法制备氧化铍薄膜的研究

    徐宝琨, 杨弘, 卢致玉, 岳万刚, 王子忱, 赵慕愚

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 636

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    本文用碱式甲酸铍为源,在源区温度250—330℃,沉积区温度440—650℃的条件下,利用热解CVD方法制得了BeO薄膜,并对BeO 薄膜的物理和化学性能做了测量和试验.

  • 分子束外延中的掺硼工艺

    杨小平, 蒋维栋, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人, 李炳宗

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 642

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    我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10~(17)cm~(-3)至4.2×10~(19)cm~(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.

  • 一种新的KLEED/CMTA方法(Ⅲ)——适用于由不同种原子构成的表面

    贾金峰, 赵汝光, 杨威生

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(10): 646

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    本文在运动学低能电子衍射(KLBED)计算方法中引入了一个平均复原子散射因子,以期使这种KLEED方法能用于由不同种原子构成的表面,而且还能大大节省计算时间.我们在多种表面上用动力学低能电子衍射(DLEED)计算对它进行了检验,结果表明这种新的KLEED计算方法和 LEED实验强度的 CMTA平均方法相结合是一种十分简单、有效的表面结构分析方法.这一方法已被成功地应用于Si(111)3~(1/2)× 3~(1/2)-Ag 表面结构研究.

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