Chin. J. Semicond. > Volume 13 > Issue 6 > Article Number: 359

弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响

毕文刚 and 李爱珍

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1696 Times PDF downloads: 1011 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1992

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误