|
Issue Browser

Volume 13, Issue 6, Jun 1992

    CONTENTS

  • AlGaAs混晶中Te施主能级

    康俊勇, 黄启圣, 林虹, 陈朝, 唐文国, 李自元

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 327

    Abstract PDF

    用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.

  • GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究

    江德生, 刘大欣, 张耀辉, 段海龙, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 333

    Abstract PDF

    我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收,也影响多量子阱中光生载流子的漂移过程.光电流谱的线形用 P~-/n~+结的耗尽模型进行了分析,并计入了入射光强度在光传播过程中由于产生吸收跃迁而发生的衰减.光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息,并证明了耗尽区模型的正确性.

  • 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究

    潘士宏, 刘毅, 张存洲, 张光寅, 冯巍, 周钧铭

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 343

    Abstract PDF

    用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.

  • (GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质

    段文晖, 顾秉林, 朱嘉麟

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 351

    Abstract PDF

    本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述.

  • 弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响

    毕文刚, 李爱珍

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 359

    Abstract PDF

    本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.

  • GaAs IC 逻辑单元与或非 DCFL特性计算机示波器方式模拟及电路设计*

    王庆康, 史常忻

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 367

    Abstract PDF

    从精确的包含源、漏电阻的器件 Shockley模型出发用计算机示波器方式模拟了 CaAs IC逻辑单元三输入端DCFL电路.模拟结果给出了三输入端DCFL的设计参数及三输入端信号相位对于DCFL逻辑输出特性的影响.模拟结果对于电路设计很有价值.

  • TiO_2薄膜制备及其表面光电压谱研究

    戴国瑞, 刘旺, 陈自力, 姜月顺, 诸真家, 陈丽华, 李铁津

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 372

    Abstract PDF

    本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结果表明,Ti/O原子比接近2,钛原子氧化态为4,高温氢气退火处理的样品,存在三价态钛Ti~(3+).TiO_2薄膜淀积在硅衬底上,在合适条件下,表面光电压信号增强约二个数量级,主要是形成异质结和消反射作用的结果.

  • 集成电路塑封应力的压阻测试

    陈健, 鲍敏杭, 胡澄宇, 李善君, 谢静薇, 郑国荣

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 379

    Abstract PDF

    本文提出了一种用于测量集成电路塑封附加应力的十字型压阻测试图形设计,用它可同时测量芯片平面内的两个正应力及剪切应力,比现有的几种方法更加合理可靠.用这种测试器件对国产塑封料和进口塑封料进行了对比应力测试,所得结果为国产塑封料配方及塑封工艺的改进提供了性能参数.

  • PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用

    曾天亮, 陈平, 江志庚, 李志彭

    Chin. J. Semicond.  1992, 13(6): 386

    Abstract PDF

    我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3%)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.

Search

Advanced Search >>

Issues