Chin. J. Semicond. > Volume 12 > Issue 5 > Article Number: 317

GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究

汪兆平 , 韩和相 , 李国华 , 江德生 and Klaus Ploog

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Abstract: 在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO偶模的散射强度远远强于具有 B_2对称性的奇模.但偶模仅在偏振谱中观测到,在退偏振谱中观测到的仍是奇模,仍然和非共振散射下的情况一样,有同样的偏振选择定则。此外,二级散射谱也观测到了.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 May 1991

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