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Volume 12, Issue 5, May 1991

    CONTENTS

  • 电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量

    董琪, 郑心畬, 陈培毅, 费新礴

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 257

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    本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.

  • Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究

    金高龙, 陈维德, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 265

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    本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:随着覆盖度θ的增大,Cr2p结合能不断趋向纯金属的结合能,即向较高的结合能方向移动;同时峰形愈来愈对称,即拖尾效应减弱,这与Cr/Si界面Cr的变化规律极其相似,而与通常的过渡金属(TM)在TM/Si界面及 TM/GaAs界面的变化规律不同,显示出Cr特有的变化规律.随着退火温度的升高,Cr/CaAs界面的反应加剧;由于 Cr的内扩散加强,在界面处形成 CrAs,阻挡了As的外扩散,而界面余留的Ga原子随着温度升高外扩散有所增强.

  • 电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响

    许铭真, 谭长华, 刘晓卫, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 273

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    本文用单陷阱电荷俘获模型研究了电场调制效应对氧化层电流弛豫谱(Oxide CurtentRelaxation Spectroscopy)——简称 OCRS的影响.给出了精确的 OCRS谱函数及其各级近似表述式;给出了确定陷阱参数(俘获截面,荷心及面密度)的精确公式及各类简化式;给出了各类近似成立的直观实验判据式.对实验结果进行了电场修正,得到了更为满意的结果.

  • 硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

    陈维德, H.Bender

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 284

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    本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.

  • 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

    周国良, 盛篪, 樊永良, 张翔九, 俞鸣人, 黄宜平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 289

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    用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3%,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.

  • 离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜

    冯嘉猷, 汤海鹏, 朱洪林, 范玉殿, 李恒德

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 294

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    利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本文研究了离化团能量和生长温度对外延层晶向和质量的关系。结果表明,当预热处理温度为480℃,外延取向关系为CdTe(100)//GaAs(100);当预热处理为580℃,外延取向关系为 CdTe(100)+(111)//GaAs(100).离化团束的能量对外延膜的结晶性能起着重要作用.

  • 半绝缘InP的铁能级研究

    彭承, 孙恒慧, 唐文国, 李自元

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 300

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    本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe~3+/Fe~+)和 Fell(Fe~(4+)/Fe~(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe~(4+)是在有些半绝缘InP 中存在的

  • 用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED

    郭康瑾, 肖德元, 陈启玙, 徐少华, 陈瑞璋, 张晓平

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 304

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    本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5%,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.

  • 用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅

    缪育博, 张静媛, 王圩

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 309

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    采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.

  • 亚微米MOSFET的计算机模拟

    张义门, 滕建旭

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 313

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    本文阐述了在考虑载流子能量输运的基础上建立起来的亚微米MOSFET的数值模型.在计入能量弛豫时间和量子沟道展宽效应的基础上提出一种改进的迁移率模型.数值结果表明理论和实验符合得相当好.

  • GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究

    汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生, Klaus Ploog

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 317

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    在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO偶模的散射强度远远强于具有 B_2对称性的奇模.但偶模仅在偏振谱中观测到,在退偏振谱中观测到的仍是奇模,仍然和非共振散射下的情况一样,有同样的偏振选择定则。此外,二级散射谱也观测到了.

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