钟战天 , 王大文 , 廖显伯 , 牟善明 , 范越 and 李承芳
Abstract: 利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al在表面上形成金属Al层.此外,真空热处理加剧了Al/aSi∶H的界面反应和元素互扩散.
Article views: 1988 Times PDF downloads: 823 Times Cited by: 0 Times
Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1991
Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2