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Volume 12, Issue 2, Feb 1991

    CONTENTS

  • Si(113)表面的原子结构

    邢益荣, 张敬平, 吴汲安, 刘赤子, 王昌衡

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 65

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    利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.

  • Al/a-Si:H界面反应和热处理行为光发射研究

    钟战天, 王大文, 廖显伯, 牟善明, 范越, 李承芳

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 68

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    利用XPS和AES对Al/a-Si∶H界面进行了研究.实验结果表明,最初阶段Al淀积在a-Si∶H上出现金属团.Al淀积量超过一定值后,起化学反应的Al和Si形成了互溶区,同时没有化学反应的Al在表面上形成金属Al层.此外,真空热处理加剧了Al/aSi∶H的界面反应和元素互扩散.

  • 高压扩散结雪崩击穿参量的解析计算

    梁苏军, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 73

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    本文采用特定的指数函数分布近似首次求得了理想高压扩散结雪崩击穿参量的解析表达式.计算结果与V.A.K.Temple和M.S.Adler的数值结果相当一致,大大优于沿用至今的单突与线缓分布近似计算结果.这一方法不仅可用于指导与评价JTT的分析与设计,还可用于现代功率器件的穿通分析与设计、扩散结势垒电容的解析计算等.

  • 退火损伤对Er注入GaAs和Yb注入InP发光的影响

    曹望和, 张联苏

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 80

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    本文报道了CaAs∶Er、InP∶Yb发光样品的二次离子质谱、X-射线双晶衍射测量结果及其与Er离子的表面成份的关系.分析讨论了退火损伤对GaAs∶Er和InP∶Yb发光的影响以及Er~(3+)复合体发光中心模型.

  • B~+、P~+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究

    孙璟兰, 李名复, 陈建新

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 83

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    本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As~+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10~(14)/cm~2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区(0.2-0.6μm)形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10~(17)/cm~3,本文称之为沟道注入饱和浓度.还发现沟道注入造成的非晶层比相同剂量下随机注入造成的非晶层略厚一些.退火后残留的二次缺陷仍在原重损伤层与衬底之间的过渡区.

  • As~+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征

    张伯旭, 罗晏, 王忠烈

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 87

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    用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2~+双空位单受主H_(72)(0.21)外,还测到其它四个能级H_0(0.56)、H_3(0.47)、H_6(0.25)、H_(73)(0.15).此外,在注B~+样品中还测到H_1(0.57)、H_2(0.53),在注P~+样品中有三个能级H_2~'(0.61)H_(71)~'(0.20)、H_8~'(0.11),其中H_8~'浓度很小.在600℃退火后,缺陷浓度均在10~(13)cm-~(-3)以下或者完全消失.与已有的工作比较,本文所测得的各种缺陷有较高的退火温度.

  • 一种二维SOI CMOS门级瞬态数值模型

    杜敏, 黄敞

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 101

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    本文给出一种SOI CMOS门级二维集成数值模型.该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起,可准确地模拟亚微米SOI CMOS反相器的瞬态特性、并给出清晰的内部物理图象.模型采用一种新的数值方法──交替方向法,将二维瞬态方程转化为两个相邻时间层的一维问题解,并提出动态二步迭代法以确保瞬态模拟的快速、稳定收敛.本文简要讨论了SOI CMOS器件中少子的累积对电路瞬态特性的影响.本模型还可用于计算辐射对SOI器件的影响以及研究漏电机理,它为高可靠亚微米SOI器件及电路的研制提供了方便的CAD工具.

  • GEDS中的联机增量式设计规则检查及其实现

    应昌胜, 洪先龙, 王尔乾

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 108

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    版图的联机增量式设计规则检查(IDRC)是指在版图设计过程中随设计的进行渐进完成版图设计规则检查.我们在版图交互编辑系统GEDS中嵌入并实现了一个IDRC过程.文中介绍了基本的设计规则检查算法和IDRC的实现策略.结合版图的分级设计还讨论了分级设计规则检查方法.

  • TiSi_x/GaAs肖特基接触的退火特性

    钱鹤, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 114

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    本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、12秒快速退火下表现出好的热稳定性和化学稳定性,所形成的肖特基接触具有良好的电特性,在800℃、20分钟的常规退火下,界面处有Ti的堆积和某种界面化学反应.对于快速退火工艺,TiSi_2可满足作为自对准 GaAs MESFET栅极材料所要求的界面稳定性.

  • GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态

    吴荣汉, 段海龙, 王启明, 曾一平, 孔梅影, 潘钟, 张权生, 林世鸣

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 120

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    采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.

  • GaAs:Cr中的Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振研究

    毛晋昌, 傅济时, 吴恩, 秦国刚, 王永鸿, 马碧春

    Chin. J. Semicond.  1991, 12(2): 125

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    本文报道GaAs∶Cr中Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr~(4+)的EPR信号,但对Cr~(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr~(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象.

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