Chin. J. Semicond. > Volume 3 > Issue 2 > Article Number: 107

应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响

葛玉如 , 高淑芬 , 王莉 , 汪孝杰 , 张盛廉 and 朱龙德

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1576 Times PDF downloads: 920 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1982

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误