测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度分布的方法,在深中心浓度和浅杂质浓度可比的情况下,它的结果尤为精确.文中讨论了测试原理和测试方法并以掺金硅N~+-P结二极管和汽相外延N型砷化镓肖脱基二极管为例进行了测量.
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用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 89
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用X射线双晶及三晶衍射仪测量晶片的研磨和抛光损伤
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 95
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介绍了用X射线双晶及三晶衍射仪检验半导体晶片研磨及抛光损伤的原理及方法.利用双晶衍射结合腐蚀剥层方法能够定量测定晶片研磨损伤层深度.提出用双晶及三晶衍射方法可以非破坏性地检验晶片的抛光质量,并能比较不同抛光工艺的效果.采用建议的三晶衍射方法检验多种不同晶片时,可以不必更换参考晶片,因而有迅速、方便的优点.
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饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 102
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本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的体产生寿命和表面产生速度场合下应用.
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应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 107
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本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的.
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DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 113
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本文推导了DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流幅度和上升前沿的关系表达式,并用我们设计的测试系统,对本所研制的质子轰击条形DH激光器进行了测试。对于90-15~#器件,在1.5倍脉冲阈值电流注入下,测得其电光延迟时间td为4ns,载流子自发复合寿命τ_sp为3.2 ns;对加有直流偏置的情况也进行了测试;还列出了另外几个器件的测试结果。从画出的测试曲线来看,与理论曲线符合得都比较好。
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LC3型离子注入机的研制和应用
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 120
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本文论述了LC3型离子注入机的物理设计和调试过程中遇到的主要问题及其解决办法,并且简介了调试结果和应用情况.
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LSI CAD制版中的基本单元自动选择
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 127
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本文讨论了应用双台面图形发生器进行CAD制版时的基本单元自动选择。提出了基本单元选优的目标函数及版图单元判别的双参数集比较法.提出了版图单元两种基本的分划模式以及控制这两种分划模式的最小整体分划阈值的概念.最后讨论了自动选择的逻辑过程和选择过程中等价图集的归并.
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硅中注入高剂量氮离子的研究
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 136
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研究了高剂量氮离子注入硅所形成的高阻层.对该层的研究将有助于使离子注入技术应用于半导体集成电路的隔离工艺. 选用电阻率为0.5Ω-cm,<111>取向的N型硅单晶片作衬底.氮离子注入能量为80keV,注入剂量用1～2×10~(17)cm~(-2),注入后表面可以形成高阻层.这一层的物理、化学、电学性能均较稳定. 用俄歇电子谱仪、背散射沟道技术、红外光谱仪、光电子谱仪等手段对该层的晶体结构及化学键合机理进行了分析.所得结果证明,注入的氮呈高斯分布,该注入层是无序的氮化硅与硅的混合结构. 用8～10Ω-cm的P型硅单晶也可以得到同样的结果.
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InGaSn/Si接触电势差的测量
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 141
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<正> 采用InGaSn 合金探针可以方便地对MOS 电容进行测量.但是要精确地知道MOS电容氧化层中总的界面电荷,必须预先知道电极金属与硅之间的接触电势差.为此我们对 InGaSn/Si接触电势差进行了测量.
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关于ZnO的价带结构
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 144
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<正> 关于ZnO的价带结构,曾经有过相当的争论.Thomas和 Hopfield(TH)曾假设ZnO在 k=0处的价带具有负自旋轨道分裂值.Park,Litton,Collins和 Reynold曾提出不同的假设,认为ZnO的价带具有正自旋轨道分裂值.Row,Cardona和 Pollak(RCP)进行了ZnO激子光谱的轴向压谱效应的实验研究,支持了前一假设的观点.但其论证理由是不够充分的.本文利用轴向压谱效应分析方法,进一步论证了TH的价带结构模型的正确性.
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微波无损伤法测半导体材料电阻率
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 147
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<正> 1.计算方法 采用介质波导作为微波传输线测量样品的电阻率时,可将样品放在两根介质波导之间,如图1所示,可不必将样品切割成一定的形状,且由于介质波导的截面尺寸比样品小得多,因此可以较方便地确定同一块材料上不同部位电阻率的差异.
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Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应
林理彬, 田景文, 谢建华, 陈伯英, 唐方元, 熊文树, 林茂清
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 151
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<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.
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砷化镓掺硫气相外延
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 155
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<正> 为了重复可靠地获得研制肖特基混频器的优质外延材料(n～1-3×10~(17)/cm~3;d～1μm),对 Ga-AsCl_3(S_2Cl_2)H_2系统中硫的掺杂规律作了研究,获得一些有用数据.从而较好地控制了外延层的电学性质及表面形貌.
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GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 159
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<正> 一、引 言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线的增长是器件快退化的主要原因之一.暗线的形成一般在几分钟到几十小时,因此在器件短期老化后如能方便地对器件内部发光情况进行观察并结合进行如阈值、微分量子效率、热阻、伏安特性等测试,将有助于器件退化原因的分析,有利于改进外延与制
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液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 162
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<正> 一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于低损耗、低色散的光纤传输.(2)能够用异质结阻挡位错的延伸,而本身又可以晶格匹配地生长,不引进失配位错.(3)在有源层达到高效率的发射复合,然后通过透明的InP层,保证有效地取出发射光.(4)InP的热导性较好.(5)该异质结材料不易氧化,生长工艺容易稳定.
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用于霍尔器件的LPE-GaAs材料
Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 166
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<正> 由于GaAs材料有较高的电子迁移率和宽的禁带,因此用它制成霍尔器件有非常好的温度特性,如霍尔电压温度系数小和使用温度范围宽(-273-280℃)等.我们用改进后的工艺,生长出LEP-GaAs材料,并已制成性能良好的霍尔器件,该器件已用在数字高斯计上.
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