Chin. J. Semicond. > Volume 1 > Issue 1 > Article Number: 54

高速ECL256字×1位随机存储器

张敏 , 陈业新 , 杨华丽 and 罗杏珍

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Abstract: 高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 January 1980

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