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Volume 1, Issue 1, Jan 1980

    CONTENTS

  • 多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题

    黄昆

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 1

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    最近,C.H.Henry和 D.V.Lang发表的一文中声称,在发生多声子跃迁的两个电子态的绝热势能位形曲线的交点附近,绝热近似不再适用.本文指出,他们的论断所依据的现象实际上只是反映了在上述交点附近,由于测不准关系,有一个小区域可以发生多声子跃迁,而丝毫不说明绝热近似失效.本文以绝热近似为基础计算出的多声子跃迁几率实际上和他们所采用的理论方法给出的结果完全相同.进一步的讨论表明,对于更普遍的情形,他们的方法将不再适用,而必须采用绝热近似,解决消除在上述交点处两个态的简并问题.

  • 低压化学蒸汽淀积(LPCVD)的计算机模拟

    王季陶

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 6

    Abstract PDF

    本文对热壁低压化学蒸汽淀积技术进行了计算机模拟计算.利用硅烷热分解可以制取均匀性良好的多晶硅膜.如假定气流中反应物径向浓度梯度为零.并引入硅烷转化率参数,就可以直接推导出淀积速率分布的理论计算式.计算结果与实验基本相符.通过电子计算机的一系列计算,从理论上得出了一些指导性的结论.

  • 用简并双模腔测量微波霍耳迁移率

    魏策军, Dr.W.Bauhofer, 周洁, 张执中

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 16

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    本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立了腔的散射参量与样品的导电张量之间关系.随之霍耳迁移率以腔的传输系数、负载和未负载反射系数来表示.无样品时两模的谐振频率及未负载Q的差别也加以了考虑.实验结果表明与直流参数的一致性,因而说明了理论的有用性。

  • 非均匀掺杂P-型GaAs红外等离子体反射光谱的计算

    陈娓兮, 李国华, 钮金真, 郭长志

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 26

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    本文用电子计算机解光导纳微分方程组研究了P-型GaAs非均匀掺杂层中自由载流子的表面浓度、浓度分布、厚度和衬底浓度对红外等离子体反射光谱的影响,并讨论其应用方法和适用范围.

  • 一种显示N~+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法

    曹福年

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 37

    Abstract PDF

    本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑可能与存在于晶体中的层错环有关系.

  • GaAs-AlGaAs双异质结(DH)外延片的位错检测

    彭怀德

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 43

    Abstract PDF

    我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.

  • AlGaAs-GaAs DH激光器退化特性及P-I特性

    王启明, 庄婉如

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 46

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    研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4%的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”,结合近场观测和发射光谱的研究,判定这是由于激光器有源区中Al含量(即x值)的不均匀分布所致.

  • 高速ECL256字×1位随机存储器

    张敏, 陈业新, 杨华丽, 罗杏珍

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 54

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    高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.

  • GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定

    张友渝

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 65

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    提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同样可以表征外延层的质量.

  • 一种由实验数据较准确计算内建电势的方法

    陆懋权

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(1): 76

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    内建电势是金属-半导体接触和P-N结半导体的基本物理参数之一.虽然理论上已对Ge、Si及GaAs等材料在单边突变结和线性缓变结两种特殊情况下给出内建电势的近似值,但对实际情形,总还需要通过实验确定.无论是测量 P-N结半导体或是金属-半导体的内建电势,通常都是采用电容-电压法.并且迄今仍在应用.这种方法,首先是将测得的C-V数据在图上画出1/C~2与V的关系,然后按外推法求出内建电势.方法虽然较简单,但不精确.即使杂质浓度分布非常均匀,可是由于其它方面的因素影响,往往并不能获得1/C~2随V变化的直线关系.此外,对被测样品的反向特性的要求还必须

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