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Volume 1, Issue 2, Feb 1980
Table of Content
CONTENTS
分区变分法及其在能带计算中的应用
薛舫时
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 81-93
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硅反型层中的Anderson转变
孔光临, 廖显伯, 杨喜荣, 张殿琳, 林淑媛
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 94-99
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N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响
吴鼎芬, 陈芬扣
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 100-106
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结型场效应晶体管的霍耳效应的理论分析
阮英超
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 107-120
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一种平面型GaAs场效应晶体管
邓先灿
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 121-126
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双层逻辑电路
林雨, 魏书明
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 127-135
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功能丰富的逻辑分析器设计
谢福增, 童其美, 鲍秉乾, 周旋
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 136-144
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四毫米雪崩管振荡器
郑东, 杨玉芬
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 145-161
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一种新颖的无显影光刻技术
裴荣祥, 洪啸吟, 韩阶平, 金维新
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 162-162
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光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小,

光刻技术是制造半导体器件的重要工艺之一,自六十年代初,在半导体工业得到运用以来,大大促进了半导体器件和集成电路的发展,至今仍占有重要地位.随着半导体器件向更高频率和大规模集成的方向发展,要求器件的尺寸越来越小,
SiO2-Si界面射频等离子体退火性质研究
Zheng You-dou, Wu Feng-mei, Su Zong-he
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 163-164
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一种获得P~+P结构的方法
徐稼迟
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 165-166
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铝对硅外延层的吸杂现象
孙安纳, 赵书鸾
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 167-167
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第二届全国半导体物理学术会议简讯
陈维德
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 170-170
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1979年全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会
黄廷荣
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 171-171
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全国集成电路和硅材料学术会议简讯
冯应章
Chin. J. Semicond.  1980, 1(2): 172-172
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