Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 3 > 567-570
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宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

王书荣, 王圩, 刘志宏, 朱洪亮, 张瑞英, 丁颖, 赵玲娟, 周帆 and 田慧良

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Abstract: 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100～250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1.55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2005

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      王书荣, 王圩, 刘志宏, 朱洪亮, 张瑞英, 丁颖, 赵玲娟, 周帆, 田慧良. 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 567-570. ****宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 567.
      Citation:
      王书荣, 王圩, 刘志宏, 朱洪亮, 张瑞英, 丁颖, 赵玲娟, 周帆, 田慧良. 宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 567-570. ****
      宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 567.
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      宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器

      • Received Date: 2015-08-19

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