Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 3 > 554-561
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亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

张大伟, 章浩, 朱广平, 张雪莲, 田立林 and 余志平

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Abstract: 利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解，建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型．基于密度梯度理论，建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型．在此基础上，结合弹道理论，开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型．通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果，以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较，证明了该模型具有良好的精度（平均误差小于8%）和可延伸性．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2005

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      张大伟, 章浩, 朱广平, 张雪莲, 田立林, 余志平. 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 554-561. ****亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 554.
      Citation:
      张大伟, 章浩, 朱广平, 张雪莲, 田立林, 余志平. 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 554-561. ****
      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 554.
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      亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型

      • Received Date: 2015-08-19

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