Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 4 > 373-377
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基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

马玉涛 , 刘理天 and 李志坚

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Key words: 金属-氧化层-半导体结构, 电荷控制模型, 有效态密度, 反型层电荷

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 April 2000

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      马玉涛, 刘理天, 李志坚. 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(4): 373-377.
      Citation:
      马玉涛, 刘理天, 李志坚. 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(4): 373-377.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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