Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 10 > 1325-1328
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高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型

万新恒 , 张兴 , 高文钰 , 黄如 and 王阳元

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Key words: MOSFET, 总剂量辐照效应, 高剂量, 模型

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 October 2001

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      万新恒, 张兴, 高文钰, 黄如, 王阳元. 高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(10): 1325-1328.
      Citation:
      万新恒, 张兴, 高文钰, 黄如, 王阳元. 高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(10): 1325-1328.
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      • Received Date: 2015-08-20

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