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Volume 22, Issue 10, Oct 2001
Table of Content
CONTENTS
优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅MOS电容的性能(英文)
李瑞钊, 徐秋霞
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1231-1234
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6H-SiC单极功率器件性能的温度关系(英文)
何进, 张兴
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1235-1239
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衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性(英文)
刘红侠, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1240-1245
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对基于DLL和PLL的射频CMOS振荡器的相位抖动比较(英文)
李金城, 仇玉林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1246-1249
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一种新型的用浮空场限环实现的可集成在SPIC中的高压电压探测器(英文)
韩磊, 叶星宁, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1250-1254
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C_(60)/硅基介孔复合物的发光研究
杨阳, 邹建平, 陈慧兰, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1255-1257
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(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
徐飞, 肖志松, 程国安, 易仲珍, 曾宇昕, 张通和, 顾岚岚
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1258-1263
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在氩气氛下生长的C_(60)薄膜的结构与特性
张海燕, 陈易明, 伍春燕, 何艳阳, 王金华, 朱燕娟
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1264-1268
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SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
韩永召, 李炳宗, 茹国平, 屈新萍, 曹永峰, 徐蓓蕾, 蒋玉龙, 王连卫, 张荣耀, 朱剑豪
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1269-1273
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含N超薄栅氧化层的击穿特性
韩德栋, 张国强, 任迪远
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1274-1276
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光
王玉霞, 曹颖, 何海平, 汤洪高, 王连卫, 黄继颇, 林成鲁
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1277-1283
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重掺硅中氧的测定
刘培东, 黄笑容, 沈益军, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1284-1286
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硅基红外热堆中热电偶尺寸和对数对探测性能的影响
李志怀, 冯明, 刘月英, 沈德新, 卢建国, 朱自强
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1287-1291
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栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析(英文)
何进, 张兴, 黄如, 黄爱华, 卢震亭, 王阳元, 张耀辉, 余山, 贾林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1292-1297
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深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响
任红霞, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1298-1305
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超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型
穆甫臣, 许铭真, 谭长华, 段小蓉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1306-1309
Abstract PDF

衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应
刘红侠, 郝跃, 张进城
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1310-1314
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一个新的pMOSFET栅电流退化模型
张进城, 郝跃, 朱志炜, 刘海波
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1315-1319
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PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型
张海鹏, 魏同立, 冯耀兰, 姚炜, 宋安飞
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1320-1324
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高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型
万新恒, 张兴, 高文钰, 黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1325-1328
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高纯GaAs中的等离子体振荡现象
郑一阳
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1329-1334
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倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效
徐步陆, 张群, 彩霞, 黄卫东, 谢晓明, 程兆年
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1335-1342
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基于缺陷统计分布的IC互连线可靠性模型
陈太峰, 郝跃, 赵天绪, 张进城
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1343-1345
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采用异步电路的低功耗微控制器的VLSI设计与实现
俞颖, 周磊, 闵昊
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1346-1351
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低电压Charge-Recovery逻辑电路的设计
李晓民, 仇玉林, 陈潮枢
Chin. J. Semicond.  2001, 22(10): 1352-1356
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