Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 8 > 1035-1037
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GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

邹德恕 , 徐晨 , 陈建新 , 史辰 , 杜金玉 , 高国 , 沈光地 , 黄大定 , 李建平 and 林兰英

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Key words: 气态源分子束外延, Si/SiGeHBT, 双台面结构

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2001

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2001  >  22(8): 1035-1037
      邹德恕, 徐晨, 陈建新, 史辰, 杜金玉, 高国, 沈光地, 黄大定, 李建平, 林兰英. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(8): 1035-1037.
      Citation:
      邹德恕, 徐晨, 陈建新, 史辰, 杜金玉, 高国, 沈光地, 黄大定, 李建平, 林兰英. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(8): 1035-1037.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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