GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究

Abstract: 研究了低温、平行磁场下两种GaAs/AlGaAs双量子阱的量子干涉特性.两种样品的阱宽均为60,但挚垒层厚度不同,分别为120和20.实验结果表明,样品的电导随磁场呈周期性振荡,振荡周期近似为h/(e·S),这一结果同Aharonov-Bohm效应的理论值相吻合。我们也发现,薄势垒层样品比厚势垒层样品的电导振荡幅度更大一些.

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