Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 10 > Article Number: 665

分子束外延GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs及界面失配研究

阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照

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Abstract: 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSbx/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSbx材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAssb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1994

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