2019年JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”

2020年11月JOS被EI数据库收录

Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 10 > Article Number: 660

Previous Article

|

Next Article

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

童玉珍，杨锡震，王占国，周伯骏

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

Abstract: 在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．

Search

Share:

Article Metrics

Article views: 1779 Times PDF downloads: 808 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1994

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved 京ICP备05085259号-2