Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 10 > Article Number: 686

MOS场效应管的新的电流公式

汤庭鳌,王晓晖,郑大卫

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Abstract: 本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代MOS场效应管的电流-电压特性,避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设.所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域.计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应,得到了适用于短沟道MOS管的电流公式.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1994

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