Chin. J. Semicond. > Volume 14 > Issue 11 > Article Number: 702

反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究

张国炳 , 武国英 , 徐立 , 郝一龙 , 隋小平 , A.P.Clarke , P.J.Clarke , M.D.Strathman , T.Gates and S.Baumann

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Abstract: 本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1993

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