Chin. J. Semicond. > Volume 2 > Issue 4 > Article Number: 267

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

高维滨 , 石志文 , 任庆余 and 鞠静丽

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Abstract: 我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进行了对照.证明了普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的.根据X射线形貌像,我们对n-GaAs衬底及GaAs-AlxGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷密度作出了评价. 采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器.测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷密度的评价完全对应.利用X射线形貌技术挑选出的低缺陷密度的衬底,我们获得了很多性能优良的长寿命激光器.

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 April 1981

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