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Volume 2, Issue 4, Apr 1981

  • A Study of Defects in GaAs Substrates and GaAs-AlxGa1-xAs DH Epitaxial Wafers by X-Ray Topography

    中国科学院半导体研究所

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4):

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    Defects in GaAs substrates and GaAs-Alx Ga1-xAs DH (double heterostructure)epitaxial wafers have been observed by means of transmission X-ray topography. Highresolution X-ray topography and metallographic techniques prove that the contrastin X-ray topographic photos is produced by crystal defects.An evaluation for thedensity of the defects in GaAs substrates and GaAs-Alx Ga1-xAs DH wafers is givenaccording to the X-ray topographic photos. The stripe lasers have been made by conventional LPE (liquid phase epitaxy)and proton bombardment. Measurement of the characteristics of the lasers shows thatthe device yield and quality correspond to our evaluation from X-ray topographyfor the density of the defects in the substrates and epitaxial wafers.

  • CONTENTS

  • 石墨夹层LiC_6的电子态

    张开明, 叶令

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 249

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    本文采用了一个集团模型.用电荷自洽的EHT方法计算集团的总能量,根据能量极小值可以定出LiC_6的最稳定的几何构形.还计算了 Li和C之间的电荷转移和集团的状态密度,得出LiC_6是施主型的化合物,具有金属性质.从自洽的电荷转移,可以得到修正的电离势,用此作为参数可以直接用紧束缚方法来计算能带.本文还用格林函数方法定性地分析了Li和C对电子态的贡献.

  • 用场效应方法研究a-Si中定域态密度

    杨喜荣, 廖显伯, 孔光临, 刘昌灵

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 263

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    用场效应方法研究了未掺杂GD-a-Si薄膜中的定域态密度分布N_((E)),比较了不同淀积条件和退火温度对N_((E))的影响.

  • 用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

    高维滨, 石志文, 任庆余, 鞠静丽

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 267

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    我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进行了对照.证明了普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的.根据X射线形貌像,我们对n-GaAs衬底及GaAs-AlxGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷密度作出了评价. 采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器.测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷密度的评价完全对应.利用X射线形貌技术挑选出的低缺陷密度的衬底,我们获得了很多性能优良的长寿命激光器.

  • 液相外延Ga_(1-x)Al_xAs层中位错组态的透射电镜研究

    梁静国, 冯孙齐, 潘桂明, 陈娓兮

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 273

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    用超高压电镜观察了液相外延Ga_(1-x)Al_xAs层中位错的组态.观察到不均匀分布的位错网络,位错网络位于外延层内,而不是在GaAs/GaAlAs界面上;散布在位错网络中的不同尺寸的位错环,以及夹杂物引起的位错丛.对上述位错组态形成机制作了讨论.还观察到大块的孤立层错.

  • GaAs气相双层外延层中有源层与缓冲层过渡区宽度的研究

    王永晨

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 277

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    本文采用漂移扩散与扩散模型,对双层VPE GaAs浓度分布进行了数学模拟,找出了有源层杂质初始分布和最终分布,从而找到了浓度过渡区宽度的解析解.与实验结果取得了好的一致. 文中还给出了实验测定的杂质 Sn在 VPE GaAs气-固相间的分配系数.给出了浓度分布的理论计算公式.

  • P型硅MOS结构C(t)不稳定性研究

    马鑫荣, 田立林, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 288

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    对P型硅的C(t)和C(V)特性的不稳定性进行了细致的实验研究.给出了一个能满意地定性解释所观察到的各种现象的物理模型.利用硼注入到栅周围的硅中,可有效地消除上述不稳定性.但实验证明,此时若要利用 MOS C(t)特性来决定半导体少子寿命,必须对样品进行适当的处理.

  • 用MIS结构C(t)特性同时决定半导体表面层内及体内的少子寿命

    马鑫荣, 田立林, 李志坚

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 298

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    半导体表面层内存在高复合中心时,zcrbst公式需要加以修正.经修正后的公式表明,Zerbst图是非线性的,利用它可同时决定表面层内少子寿命、体内少子寿命及高复合表面层的大致深度.实验结果与理论得到了很好的吻合.

  • GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析

    俞冠高, 金立荣, 张崇仁

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 307

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    由于多层外延材料浓度和厚度的不均匀性,实验二极管的击穿电压V_B有较大的差别.为此对给定的掺杂分布进行V_B、耗尽宽度及电场的分析和计算.从实验中找到室温下掺杂分布和伏安特性之间的对应关系.实际选择管芯时,应根据击穿电压值和大电流下的伏安特性曲线进行挑选.这种挑选管芯的方法已在器件批量生产中应用.

  • 确定n-Si补偿度的简捷方法

    孙毅之, 张又立, 薛绍仁, 徐维明

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 317

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    <正> 在确定 n-Si补偿度时通常采用变温的霍尔测量进行霍尔分析或迁移率分析方法,前者必须具备比液氮温度低很多的温度条件,费时而冗长.迁移率分析则根据n-Si的能带结构和散射机构,由液氮温度下的迁移率值和室温下测量载流子浓度得出补偿度.虽然迁移率分析方法较霍尔分析已经大大简化,但仍然要变换样品温度;况且对在室温下呈高阻的样品,测量也比较困难.我们根据电中性方程和Si中电子散射机构提出了只根据液氮温度下霍尔测量数据确定补偿度的方法.

  • 压力下隧道管的电流性质

    王积方

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 320

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    <正> 隧道二极管的伏-安特性是由带间隧道电流、剩余电流、热电流构成的.对应于这些电流,电子需穿过的位垒都与禁带宽有关,本征锗不同导带谷(L_1,Γ_2~',△_1),与价带顶Γ_(25)~'。构成的禁带宽随压力改变的速率是不一样的,分别为:dE_L_1/dp=5 ×10~(-6),dE_I_2~'/dp=

  • 突变pin结的解析解问题

    阮英超

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(4): 324

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    <正> 本文确定了i区长度Wi=0→∞及掺杂比N_A/N_D=0→∞的任何突变pin结的平衡态严格解,和薄i区结的偏置态解. (Ⅰ)设有如下杂质分布为ρ_d的突变pin结(图1).

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