Chin. J. Semicond. > Volume 17 > Issue 9 > Article Number: 698

大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算

奚雪梅,赵清太,张兴,李映雪,王阳元,陈新,王佑祥

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Abstract: 在大剂量氧注入硅形成SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO2内的快速扩散等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂

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Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 September 1996

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