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Volume 17, Issue 9, Sep 1996

    CONTENTS

  • MOCVD和GSMBE生长Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中有序结构的研究

    董建荣,李晓兵,孙殿照,陆大成,李建平,孔梅影,王占国

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 641

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    用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)BGaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaInPPL峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(MOCVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

  • 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄

    靳彩霞,凌震,诸长生,俞根才,王杰,赵国珍

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 646

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    用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn(

  • 1.48μm掺铒光纤放大器泵源

    彭怀德,刘德钧,阎莉,王丽明,张洪琴,王仲明,夏彩虹,孙国喜

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 651

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    用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备1.48μm大功率激光器,与单模光纤耦合输出功率大于40mW.

  • 测定半导体激光器源分布的一种有效方法

    曾小东,梁昌洪

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 655

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    本文讨论了利用远场测量值估计半导体激光器源分布的矩量方法,给出了一种实用的误差检验准则.结果表明,这是一种实用性好,精度较高的方法,只需很少几个展开函数的线性组合,就能很好地逼近源场函数.

  • 扫描电子声显微镜在半导体材料分析中的应用

    张冰阳,江福明,惠森兴,杨阳,姚烈,殷庆瑞

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 659

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    本文利用国际上近几年发展起来的一种新型显微成像工具──扫描电子声显微镜(SEAM-ScanningElectronAcousticMicroscope)对几种类型的半导体材料进行了电子声成像观察与研究.文中简述了扫描电子声显微镜的电子声成像机理和其工作原理.从获得的电子声图像上,反映出扫描电子声显微成像技术在对半导体材料的亚表面缺陷和掺杂分布方面有着直接观察与显示的能力.同时与相应位置所获得的二次电子像进行了比较,显示出了电子声显微成像技术的独特之处和潜在的应用价值.

  • 用全扩散法制作MCT

    张发生,周如培,周宝霞,陈治明.

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 664

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    使用普通P型硅片,用全扩散工艺制作MCT.除开通与关断MOS外,全部器件用常规晶闸管工艺制造.试制品主要电特性达到设计要求,说明了利用全扩散工艺制造MCT的可行性.文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路,报道了样品的测试结果,并对试制工作进行了简单分析.

  • 新型结构的1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si MQW波导探测器的优化设计

    刘育梁,杨沁清,王启明

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 667

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    本文首次提出了一种新型的环形GexSi(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽的环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接,各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2~3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右.

  • 小面积PN结的光电特性

    尹长松,黄黎蓉

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 674

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    用P型硅材料制作了小面积NP结光电二极管,测试了二极管的光电特性.若按杂质扩散区的受光面积计算,在同样的光照下,小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的100倍以上.究其原因,在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内,光生载流子对光电流的贡献.因此,当杂质扩散区为一个点时,光敏感区的面积趋于恒定值πL,有效光吸收区体积趋于(ZπL)/3.

  • 集成电路功能成品率模拟与设计方法

    郝跃,朱春翔,张卫东

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 677

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    本文基于在缺陷空间分布和粒径分布的模型,研究并讨论了计算集成电路(IC)功能成品率的理论和模拟IC功能成品率的方法.为了验证所研究方法和模型的正确性,对测试图样和实际IC的功能成品率进行模拟,并分析了影响功能成品率的几个因素,得到了有益的结果.

  • 改进的电迁移独立失效元模型

    李志宏,顾页,武国英,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 683

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    当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷.本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设,对其进行了一些改进.主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元,并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关.对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实.

  • 短沟道CMOS/SOI器件加固技术研究

    张兴,奚雪梅,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 689

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    通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道CMOS/SIMOX器件的抗辐照特性,重点分析了H2-O2合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、CoSi2/多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对CMOS/SIMOX器件辐照特性的影响,最后得到了薄膜短沟道CMOS/SIMOX器件的抗核加固方案.

  • 注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性

    竺士炀,林成鲁,高剑侠,李金华

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 693

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    对常规工艺制备的SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)材料,注入不同剂量的F+并退火,其电容经(60)Coγ射线电离辐照后平带电压漂移较小,通过同理论值相比较,说明F+的注入减少了SIMOX隐埋SiO2层(BOX:BuriedOXide)的空穴陷阱浓度,增强了SIMOX的抗电离辐照能力.

  • 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算

    奚雪梅,赵清太,张兴,李映雪,王阳元,陈新,王佑祥

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 698

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    在大剂量氧注入硅形成SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO2内的快速扩散等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂

  • MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响

    赵清太,王忠烈

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 706

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    本文利用卢瑟福背散射及沟道(RBS/C)技术,二次离子质谱(SIMS)技术等研究了MeVSi离子束轰击对BF2注入Si样品特性的影响.结果表明,退火后在BF2注入形成的PN结结区内仍有大量的二次缺陷.退火前附加一次MeVSi离子轰击可以有效地消除BF2注入区内的二次缺陷,抑制B原子的扩散,并提高B原子的电激活率.

  • a-SiN∶H的退火处理及其对a-Si∶H TFT性能与可靠性的影响

    李秀京,陈治明,田敬民

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 713

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    研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响.实验事实表明,在380℃以下的退火处理使a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-Si:HTFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT特性变坏.

  • As~+注入Si_(1-x)Ge_x的快速退火行为

    邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,刘学锋,张靖巍

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(9): 717

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    用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快

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