Chin. J. Semicond. > Volume 16 > Issue 8 > Article Number: 627

高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

杨国文,肖建伟,徐遵图,郑婉华,曾一平,徐俊英,张敬明,陈良惠

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Abstract: 通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 August 1995

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