Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 10 > Article Number: 674

多孔硅的氢化、氧化与光致发光

张丽珠,段家忯,林军,张伯蕊,毛晋昌,付济时,秦国刚,许振华

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1673 Times PDF downloads: 1024 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1994

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误