Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 8 > Article Number: 587

借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量

王启元 , 王俊 , 韩秀峰 , 邓惠芳 , 王建华 , 昝育德 , 蔡田海 , 郁元桓 and 林兰英

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Abstract: 本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术,通过硅片减薄并采用低温红外透射测量,明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰,提高了红外吸收峰信噪比,在1136cm-1附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰,从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量.实验结果表明:该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围.对于重掺n型硅,其测量应用范围可扩展至电阻率1e-2Ω·cm(自由载流子浓度高达4e18cm-3).

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 August 1997

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