Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 3 > 528-531
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基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件

刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 刘玉奎, 何开全, 刘嵘侃, 张静, 刘伦才, 徐婉静, 李荣强, 陈光炳 and 徐学良

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Abstract: 在模拟集成电路的应用中，不仅注重器件fT，而且注重晶体管最高振荡频率（fmax）．文中以MBE生长的SiGe材料为基础，进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究，研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(3): 528-531
      刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 刘玉奎, 何开全, 刘嵘侃, 张静, 刘伦才, 徐婉静, 李荣强, 陈光炳, 徐学良. 基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 528-531. ****基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 528.
      Citation:
      刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 刘玉奎, 何开全, 刘嵘侃, 张静, 刘伦才, 徐婉静, 李荣强, 陈光炳, 徐学良. 基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 528-531. ****
      基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 528.
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      基于MBE的fmax为157GHz的SiGe HBT器件

      • Received Date: 2015-08-19

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