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Volume 3, Issue 5, May 1982
CONTENTS
低压硅外延生长的热力学研究
徐宝琨, 赵慕愚
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 343-350
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低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定
曹友琦
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 351-358
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关于砷化镓自生长氧化膜的研究
刘弘度, 陈娓兮, 冯哲川
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 359-365
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(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究
王守武, 顾纯学, 王仲明, 庄婉如, 杨培生
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 366-375
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一种新的CMOS负阻器件
易明銧
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 376-384
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GaAs中速度过冲特性的分析
冯育坤
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 385-394
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场控P-N结击穿特性
刘玉书
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 395-403
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高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势
崔成烈, 傅志煌, 吴瑞华
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 404-409
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用光谱法研究砷离子注入硅的退火
林树汉, 莫党
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 410-412
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硅单晶漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示
宗祥福, 陈一, 曹厚钧, 顾孝义, 郑家芝
Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 413-416
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