Previous Issue
|
Next Issue
Issue Browser
Volume 3, Issue 1, Jan 1982
Table of Content
CONTENTS
GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH激光器近场光谱的研究
张敬明, 郑宝真
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 1-7
Abstract PDF

液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱
余金中, 鞠静丽, 石志文, 马国荣, 刘福源, 王维明
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 8-14
Abstract PDF

双异质结(DH)激光器-光纤高效耦合
周汝生, 朱柏生, 张伦
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 15-22
Abstract PDF

用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质
陈树光, 叶贤京, 莫党
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 23-30
Abstract PDF

金属-n型GaAs界面物理特性研究
陈克铭, 王良臣, 王佑祥
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 31-44
Abstract PDF

用MOS电容瞬态电流-电容法直接测定少数载流子的体产生寿命分布和表面产生速度
孙勤生
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 45-54
Abstract PDF

MOS结构的软X射线辐射损伤
郑有炓, 吴凤美
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 55-61
Abstract PDF

背散射和核反应技术用于氮化硅薄膜分析
承焕生, 徐志伟, 赵国庆, 周筑颖, 任月华, 王季陶
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 62-67
Abstract PDF

ECL1024字×1位随机有储器
张敏, 杨华丽, 罗杏珍, 余北梁, 陈明琪, 郑应杨
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 68-75
Abstract PDF

硅中离子注入层光学常数的振荡分布
钱佑华, 陈良尧, 张继昌
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 76-79
Abstract PDF

关于“P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”一文的讨论
莫党
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 80-81
Abstract PDF

第五届国际气相生长和外延会议和美国第五届晶体生长会议简讯
彭瑞伍, 林耀望
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 82-82
Abstract PDF

第四次国际窄禁带半导体物理会议
普霖
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 83-83
Abstract PDF

1982年半导体国际会议消息
徐朋泰, 梁荫熹
Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 84-84
Abstract PDF

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2