Journal of Semiconductors

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Volume 3, Issue 2, Feb 1982

CONTENTS

用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布

秦国刚, 杜永昌, 张玉峰

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 89

用X射线双晶及三晶衍射仪测量晶片的研磨和抛光损伤

许顺生, 徐景阳, 谭儒环

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 95

饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度

张秀淼

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 102

应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响

葛玉如, 高淑芬, 王莉, 汪孝杰, 张盛廉, 朱龙德

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 107

DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量

王守武, 赵礼庆, 张存善, 邓生贵

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 113

LC3型离子注入机的研制和应用

屈保春

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 120

LSI CAD制版中的基本单元自动选择

庄文君

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 127

硅中注入高剂量氮离子的研究

孙慧玲, 陈鸣, 王培大

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 136

InGaSn/Si接触电势差的测量

徐至中, 梁励芬

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 141

关于ZnO的价带结构

张光寅

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 144

微波无损伤法测半导体材料电阻率

王宗欣, 赵惠芬, 胡鸣华

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 147

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

林理彬, 田景文, 谢建华, 陈伯英, 唐方元, 熊文树, 林茂清

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 151

砷化镓掺硫气相外延

吴赛娟, 仇兰华, 陆大成, 于清, 王瑞林

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 155

GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察

陈新之, 孙体忠, 乔墉

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 159

液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结

邬祥生, 杨易, 李允平, 唐嫱妹, 水海龙

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 162

用于霍尔器件的LPE-GaAs材料

丁墨元, 施益和, 傅涛, 王岩, 李双喜

Chin. J. Semicond. 1982, 3(2): 166