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Volume 3, Issue 5, May 1982

• CONTENTS

  低压硅外延生长的热力学研究

  徐宝琨, 赵慕愚

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 343
  

  低压化学汽相淀积氮化硅膜的成份和抗氧化能力的测定

  曹友琦

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 351
  

  关于砷化镓自生长氧化膜的研究

  刘弘度, 陈娓兮, 冯哲川

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 359
  

  (AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究

  王守武, 顾纯学, 王仲明, 庄婉如, 杨培生

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 366
  

  一种新的CMOS负阻器件

  易明銧

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 376
  

  GaAs中速度过冲特性的分析

  冯育坤

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 385
  

  场控P-N结击穿特性

  刘玉书

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 395
  

  高频C-V方法测量埋沟电荷耦合器件的沟道电势

  崔成烈, 傅志煌, 吴瑞华

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 404
  

  用光谱法研究砷离子注入硅的退火

  林树汉, 莫党

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 410
  

  硅单晶漩涡缺陷的铜缀饰腐蚀显示

  宗祥福, 陈一, 曹厚钧, 顾孝义, 郑家芝

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(5): 413
  

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