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Volume 3, Issue 6, Jun 1982

• CONTENTS

  集团模型方法研究半导体的电子结构

  夏建白

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 417
  

  极性晶体中表面极化子的基态能量和有效质量

  顾世洧, 燕光

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 426
  

  混合半导体的能隙结构

  钟学富

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 433
  

  硅中“氢-缺陷络合物”施主行为的研究

  王正元, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 440
  

  热处理硅中的氧、碳沉淀

  许振嘉, 蒋四南, 孙伯康, 刘江夏

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 450
  

  重掺补偿的P-GaAs的指数带尾和激光特性

  杜宝勋

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 458
  

  GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结的光伏特性

  虞丽生, 王存达

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 465
  

  4.2K注氮Ga_(1-x)Al_xAs(x=0.2-0.8)的光致发光研究

  弓继书, 徐仲英, 徐俊英, 李玉璋, 陈良惠, 石忠诚, 杜宝勋

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 474
  

  高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压

  程兆年, 袁云芳, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 482
  

  UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管

  王渭源, 夏冠群, 卢建国, 詹千宝, 杨新民, 王文骐

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 493
  

  用EHMO方法计算晶体电子态密度的一种改进

  蒋平

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 499
  

  非晶态材料硅的电子态密度的理论计算

  傅卓武

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 502
  

  高阻n型硅的电子辐照

  盛篪, 陈巧珍, 孙恒慧, 张增光

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 505
  

  电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨

  黄惠玲, 许寿祥, 邱兴镛, 张秀淼, 苏九令, 包宗明

  Chin. J. Semicond.  1982, 3(6): 509
  

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