Journal of Semiconductors

Archive

Volume 4, Issue 2, Feb 1983

CONTENTS

半导体中杂质的自电离态的理论

甘子钊, 韩汝琦

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 105

石墨插层化合物能带计算的一种方法

叶令, 张开明

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 117

紧束缚法计算GaAs-GaP超晶格的能带结构及电子的有关性质

刘文明, 李甲

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 124

掺氢和掺氟无定形硅的EHMO研究

蒋平

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 133

硅P-N结电场对金施主中心空穴热发射率的影响

陈开茅, 毛晋昌

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 142

用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

陈光华, 张仿清, 杜宁, 徐希翔, 黄士生, 刘智

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 149

GaAs三元异质外延层厚度测量的X射线衍射比强度法

杨传铮

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 154

半导体DH条型注入激光器中侧向载流子波导引起的本征自脉动

郭长志, 汪凯戈

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 161

半导体多层结构的热应变弯曲和层应力

冯哲川, 刘弘度

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 171

大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析

张冠生, 唐厚舜, 黄杜森, 余夕同, 赵国珍, 钮成法

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 181

GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究

李涵秋, 陆奋

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 187

金属-半导体欧姆接触的接触电阻率

陈存礼

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 191

用光吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线

许振嘉, 张泽华, 孙伯康

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 194

汽相外延InP

黄善祥

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 197

可见光-红外光GaAlAs激光器的研究

郑广富, 廖先炳, 郑显明, 胡恩智

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 200

利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波段雪崩管

朱美芳, 姚德成, 刘世祥, 石万全, 杨丽华

Chin. J. Semicond. 1983, 4(2): 206