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Volume 4, Issue 4, Apr 1983

• CONTENTS

  半导体表面附近施主原子电离能计算

  刘振鹏

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 313
  

  Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

  王守武, 郑一阳, 郗小林, 张进昌

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 321
  

  掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响

  陈克铭, 王森, 陈维德, 方浦明

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 334
  

  JFET-双极高速宽带运算放大器的设计问题

  易明銧

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 340
  

  10GHz CW GaAs Gunn器件振荡特性的计算机模拟

  王颖娴, 李元垠, 潘国雄

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 351
  

  二维非等温的分布晶体管模型

  高光渤, 吴武臣

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 361
  

  短沟道CaAs MESFET中的速度过冲效应

  冯育坤

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 369
  

  硼离子注入硅的剖面分布

  李国辉, 王兴民, 卢志恒, 张通和, 田淑芸

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 374
  

  用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面

  史常忻, 顾为芳

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 383
  

  高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质

  徐寿定, 李瑞云

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 389
  

  LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨

  周伯骏, 吴让元

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 395
  

  铝-硅和金-硅的接触电势差

  陆德仁

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 399
  

  Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化

  陈炳来, 庄承群, 王迅

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 403
  

  InSb液相外延层内的两类层错

  俞振中, 马可军, 金刚

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 407
  

  GD a-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质

  廖显伯, 杨喜荣, 徐学敏, 刘昌灵, 孔光临

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 410
  

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