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Volume 4, Issue 5, May 1983

• CONTENTS

  Hg_(1-x)Cd_xTe混晶中光学声子与电子的相互作用

  唐文国

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 415
  

  平面Gunn器件中静止畴的形成和转变

  王守武, 郑一阳, 郗小林, 潘国雄, 张进昌

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 422
  

  AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定

  邢益荣, W.Ranke

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 432
  

  电场对TSIC测量的影响

  谭长华, 许铭真

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 439
  

  非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

  张秀淼, 贺国根

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 444
  

  GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双区激光二极管的稳态特性

  黄熙, 王启明, 杜宝勋

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 449
  

  硅中激光退火点缺陷的钝化/消除

  卢励吾, 许振嘉, 蔡田海, 阮圣央

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 455
  

  a-Si:H中的原生对复合

  孙钟林, 熊绍珍, 徐温元

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 464
  

  一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式

  李金华, 张永恩, 夏日源, 陈鄂生

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 471
  

  高速台型硅雪崩光电二极管的研制

  代振华, 解金山, 夏应华, 王俊卿

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 477
  

  程序控制液相外延炉

  邹志膺, 萨支天, 邹美琪, 张庆汉, 金奉善

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 484
  

  硅外延层错退火的研究

  蔡田海

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 492
  

  低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响

  梁际翔, 许振嘉, 佘觉觉

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 494
  

  Al-Si欧姆接触的连续CO_2激光辐照合金化

  陈存礼, 范仁永

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 502
  

  剥层椭偏法对As~+注入Si热退火过程的进一步研究

  陈敏麒, 张宏, 罗晋生

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 507
  

  一个关于砷化镓场效应晶体管稳态特性的新的分析模型

  汪正孝

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 510
  

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