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Volume 4, Issue 5, May 1983
Table of Content
CONTENTS
Hg_(1-x)Cd_xTe混晶中光学声子与电子的相互作用
唐文国
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 415-421
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平面Gunn器件中静止畴的形成和转变
王守武, 郑一阳, 郗小林, 潘国雄, 张进昌
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 422-431
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AES深度分布测量的精确分析和电子逃逸深度的测定
邢益荣, W.Ranke
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 432-438
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电场对TSIC测量的影响
谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 439-443
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非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度
张秀淼, 贺国根
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 444-448
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GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH共腔双区激光二极管的稳态特性
黄熙, 王启明, 杜宝勋
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 449-454
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硅中激光退火点缺陷的钝化/消除
卢励吾, 许振嘉, 蔡田海, 阮圣央
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 455-463
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a-Si:H中的原生对复合
孙钟林, 熊绍珍, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 464-470
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一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式
李金华, 张永恩, 夏日源, 陈鄂生
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 471-476
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高速台型硅雪崩光电二极管的研制
代振华, 解金山, 夏应华, 王俊卿
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 477-483
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程序控制液相外延炉
邹志膺, 萨支天, 邹美琪, 张庆汉, 金奉善
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 484-491
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硅外延层错退火的研究
蔡田海
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 492-493
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低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响
梁际翔, 许振嘉, 佘觉觉
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 494-501
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Al-Si欧姆接触的连续CO_2激光辐照合金化
陈存礼, 范仁永
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 502-506
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剥层椭偏法对As~+注入Si热退火过程的进一步研究
陈敏麒, 张宏, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 507-509
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一个关于砷化镓场效应晶体管稳态特性的新的分析模型
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1983, 4(5): 510-514
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