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Volume 4, Issue 6, Jun 1983
Table of Content
CONTENTS
非晶态硅的带隙态密度
夏建白
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 515-525
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原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究
何宏家, 曹福年, 范缇文, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲, 褚一鸣
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 526-530
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深中心行为图形表示方法的探讨
阮圣央, 张砚华, 郑秉茹, 杨锡权, 吉秀江
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 531-539
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离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心
周光能, 郑有炓, 吴汝麟
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 540-548
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用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转
邢启江, 陈辰嘉, 王学忠, 史守旭, 朱印康, 王威礼, 曹树石, 刘继周, 刘彩霞
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 549-554
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a-Si:H材料中的场致电导漂移
熊绍珍, 孙钟林
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 555-559
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半绝缘InP注硅的无包封退火
乔墉, 卢建国, 罗潮渭, 邵永富, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 560-564
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用拼版法研制大规模集成电路的掩膜版
林雨
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 565-573
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考虑非局域势的Si能带的紧束缚计算
王永良, 顾宗权
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 574-578
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高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火
侯东彦, 钱佩信, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 579-585
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射频溅射a-Si:H样品的光诱导光学吸收的变化
章佩娴, 谭翠玲, 朱琼瑞, 彭少麒
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 586-589
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a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究
邢益荣, 钟战天, 沈光地, 孔光临, 廖显伯, 杨喜荣
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 590-592
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GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究
廖显伯, 杨喜荣, 刘昌灵, 孔光临, 侯贵, 徐广智
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 593-595
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在离子注入硅激光退火时引入缺陷
鲍希茂, 黄信凡, 郭禾, 张梅
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 596-600
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离子注入氮化硅隔离的CMOS器件
刘忠立, 伏·车慈曼, 依·罗伯特, 格·启姆
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 601-605
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又一种具有特殊界面效应的稀有金属杂质铑
李思渊, 张同军, 李寿嵩
Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 606-608
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