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Volume 4, Issue 6, Jun 1983

• CONTENTS

  非晶态硅的带隙态密度

  夏建白

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 515
  

  原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究

  何宏家, 曹福年, 范缇文, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲, 褚一鸣

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 526
  

  深中心行为图形表示方法的探讨

  阮圣央, 张砚华, 郑秉茹, 杨锡权, 吉秀江

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 531
  

  离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心

  周光能, 郑有炓, 吴汝麟

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 540
  

  用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转

  邢启江, 陈辰嘉, 王学忠, 史守旭, 朱印康, 王威礼, 曹树石, 刘继周, 刘彩霞

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 549
  

  a-Si:H材料中的场致电导漂移

  熊绍珍, 孙钟林

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 555
  

  半绝缘InP注硅的无包封退火

  乔墉, 卢建国, 罗潮渭, 邵永富, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 560
  

  用拼版法研制大规模集成电路的掩膜版

  林雨

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 565
  

  考虑非局域势的Si能带的紧束缚计算

  王永良, 顾宗权

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 574
  

  高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火

  侯东彦, 钱佩信, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 579
  

  射频溅射a-Si:H样品的光诱导光学吸收的变化

  章佩娴, 谭翠玲, 朱琼瑞, 彭少麒

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 586
  

  a-Si:(H,Cl)薄膜的XPS和UPS研究

  邢益荣, 钟战天, 沈光地, 孔光临, 廖显伯, 杨喜荣

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 590
  

  GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究

  廖显伯, 杨喜荣, 刘昌灵, 孔光临, 侯贵, 徐广智

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 593
  

  在离子注入硅激光退火时引入缺陷

  鲍希茂, 黄信凡, 郭禾, 张梅

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 596
  

  离子注入氮化硅隔离的CMOS器件

  刘忠立, 伏·车慈曼, 依·罗伯特, 格·启姆

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 601
  

  又一种具有特殊界面效应的稀有金属杂质铑

  李思渊, 张同军, 李寿嵩

  Chin. J. Semicond.  1983, 4(6): 606
  

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