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Volume 5, Issue 2, Feb 1984

• CONTENTS

  硅中的深杂质能级

  夏建白

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 121
  

  高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究

  吴灵犀, 刘巽琅, 叶式中, 孟庆惠, 李永康

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 132
  

  衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响

  周伯骏, 蒋四南, 高维滨, 方兆强, 向贤碧, 朱素珍, 王玉田, 吴让元

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 139
  

  用红外吸收的光调制技术测量Hg_(1-x)Cd_xTe的载流子寿命

  凌仲赓, 陆培德

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 144
  

  硅中激光辐照引进的点缺陷

  卢励吾, 许振嘉

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 152
  

  XPS研究氧在GaAs(111)面的吸附

  丁训民, 杨曙, 董国胜, 王迅

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 162
  

  InP(100)与(111)面的特征能量损失谱

  侯晓远, 俞鸣人, 王迅

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 171
  

  GaAs FET’s的有限元二维数值分析

  汪正孝

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 178
  

  MOS器件的二维稳态分析

  吴启明, 王泽毅, 秦树

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 189
  

  N~+N~-P结构的电场模型及其在LEC晶体管分析中的运用

  黄新群

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 198
  

  分子束外延Al_xGa_(1-x)As中的持续光电导中心

  周炳林

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 208
  

  场致发射液体镓离子源的研制

  马祥彬, 王纯, 陈春华, 张立宝, 李金荣, 凌仲珪

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 211
  

  In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相外延生长

  王树堂, 潘荣浚, 曾靖

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 214
  

  氧化铅靶层形貌、取向和晶粒度的观测

  陆颖, 王朝果, 葛玉如

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 217
  

  在Si上的离化团束外延Ge

  秦复光, 王向明, 杨光荣, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 221
  

  分子束外延砷化镓单晶薄膜

  孔梅影, 孙殿照, 黄运衡, 梁基本, 陈宗圭, 李歧旺

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 226
  

  第四届全国半导体物理学术会议在南京召开

  鲍希茂

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 230
  

  第三届全国集成电路和硅材料学术年会在合肥召开

  冯应章

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 231
  

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