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Volume 5, Issue 2, Feb 1984
Table of Content
CONTENTS
硅中的深杂质能级
夏建白
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 121-131
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高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究
吴灵犀, 刘巽琅, 叶式中, 孟庆惠, 李永康
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 132-138
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衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响
周伯骏, 蒋四南, 高维滨, 方兆强, 向贤碧, 朱素珍, 王玉田, 吴让元
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 139-143
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用红外吸收的光调制技术测量Hg_(1-x)Cd_xTe的载流子寿命
凌仲赓, 陆培德
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 144-151
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硅中激光辐照引进的点缺陷
卢励吾, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 152-161
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XPS研究氧在GaAs(111)面的吸附
丁训民, 杨曙, 董国胜, 王迅
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 162-170
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InP(100)与(111)面的特征能量损失谱
侯晓远, 俞鸣人, 王迅
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 171-177
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GaAs FET’s的有限元二维数值分析
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 178-188
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MOS器件的二维稳态分析
吴启明, 王泽毅, 秦树
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 189-197
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N~+N~-P结构的电场模型及其在LEC晶体管分析中的运用
黄新群
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 198-207
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分子束外延Al_xGa_(1-x)As中的持续光电导中心
周炳林
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 208-210
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场致发射液体镓离子源的研制
马祥彬, 王纯, 陈春华, 张立宝, 李金荣, 凌仲珪
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 211-213
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In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相外延生长
王树堂, 潘荣浚, 曾靖
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 214-216
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氧化铅靶层形貌、取向和晶粒度的观测
陆颖, 王朝果, 葛玉如
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 217-220
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在Si上的离化团束外延Ge
秦复光, 王向明, 杨光荣, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 221-225
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分子束外延砷化镓单晶薄膜
孔梅影, 孙殿照, 黄运衡, 梁基本, 陈宗圭, 李歧旺
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 226-229
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第四届全国半导体物理学术会议在南京召开
鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 230-230
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第三届全国集成电路和硅材料学术年会在合肥召开
冯应章
Chin. J. Semicond.  1984, 5(2): 231-231
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