Archive

Volume 5, Issue 4, Apr 1984

• CONTENTS

  流体静压力下的Si中的深杂质能级

  夏建白

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 345
  

  a-Si:(Cl,H)薄膜的PESIS研究

  邢益荣, 钟战天, 沈光地

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 353
  

  多晶硅中碳化物及其来源的研究

  万群, 李玉珍, 徐宝琨, 赵慕愚

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 360
  

  原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察

  钱家骏, 褚一鸣, 范缇文, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 368
  

  二毫米雪崩二极管微波振荡器

  杨玉芬, 刘衍芳

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 374
  

  GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起静止畴的超宽带负阻

  郑一阳, 张进昌

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 380
  

  MOSFET强表面场电学特性分析

  刘可辛, 傅予, 李宏

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 388
  

  LSI二维布局的分析算法

  周电, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 396
  

  快速最优通道布线算法

  吴祖增

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 404
  

  LSI多元胞版图设计的一种布局方法

  沙蕗, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 412
  

  双边单元的LSI自动布局算法

  程可行, 庄文君

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 422
  

  可编逻辑阵列的折迭和版图自动生成

  赵文庆, 唐璞山

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 431
  

  关于MOS结构深耗尽c(v)特性的转折现象

  马鑫荣, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 440
  

  用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度

  谭长华, 许铭真

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 443
  

  Al-SiO_2-Si/n系统的r辐照界面效应及退火特性

  张秀淼, 顾峰, 谢可勋

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 449
  

  K_(CMR)的一个测试方法

  李光宇

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(4): 453
  

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved