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Volume 5, Issue 5, May 1984

• CONTENTS

  Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法

  郑心畬, 李志坚

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 457
  

  Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布

  陈开茅, 王忠安, 冯初光, 张蔷, 高玉秀

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 468
  

  氯化和氢化的无定形硅的拉曼谱和红外谱

  汪兆平, 韩和相, 李国华, 赵学恕

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 478
  

  氢原子间非键相互作用对a-Si:H振动谱的影响

  朱邦芬

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 484
  

  热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究

  林昭烟, 张丽珠, 任宏, 许惠英, 张伯蕊, 秦国刚, 崔玉成

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 492
  

  MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量

  陈开茅, 陈凯来, 王忠安

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 498
  

  氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究

  何宇亮, 颜永红, 殷晨钟, 玉志超, 沈学础, 朱浩荣

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 508
  

  稀释气体对GD淀积a-Si:H膜的光电性质的影响

  马洪磊, 曹宝成, 李淑英, 陆大荣

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 516
  

  分子束外延GaAs掺Se

  孔梅影, D.A.Andrews

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 523
  

  正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术

  张太平

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 529
  

  Van Vechten共价半径的改进

  钟学富

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 534
  

  用脉冲激光把稀土元素Yb引入硅单晶中

  鲁永令, 傅春寅

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 540
  

  掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱

  韩和相, 汪兆平, 李国华, 赵学恕, 向贤碧

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 544
  

  氩气氛中高纯GaAs的外延生长

  林耀望, 张彦云, 李秀兰, 林兰英

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 547
  

  一种新型的整体式镓离子源的研制

  陈春华, 王纯, 张立宝, 马祥彬, 李金荣

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 550
  

  用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触

  朱兵, 鲍希茂, 李和生, 潘茂洪, 茅保华, 盛永喜

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 554
  

  静压下GaP的拉曼散射

  李国华, 赵学恕, 韩和相, 汪兆平, 唐汝明, 胡敬竹

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 558
  

  GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

  莫培根, 李寿春, 李跃鑫, 高集金, 李石岭

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 562
  

  多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较

  顾宗权, 王永良

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 565
  

  掺氧多晶硅薄膜的组分分析

  王云珍, 陈心和, 李月珍

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 569
  

  用离子注入~(31)P~+制造光掩模

  刘风岐, 牛文志, 李少海, 李浩

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(5): 573
  

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