Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 457
Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 468
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 478
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 484
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 492
MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 498
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 508
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 516
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 523
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 529
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 534
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 540
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 544
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 547
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 550
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 554
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 558
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 562
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 565
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 569
Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 573