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Volume 5, Issue 5, May 1984

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Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法

郑心畬, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 457-467

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 457.

郑心畬, 李志坚. Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 457..Export: BibTex EndNote

郑心畬, 李志坚. Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 457...

Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布

陈开茅, 王忠安, 冯初光, 张蔷, 高玉秀

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 468-477

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 468.

陈开茅, 王忠安, 冯初光, 张蔷, 高玉秀. Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 468..Export: BibTex EndNote

陈开茅, 王忠安, 冯初光, 张蔷, 高玉秀. Si-SiO_2界面态对载流子的俘获性质及界面态密度随能量的分布[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 468...

氯化和氢化的无定形硅的拉曼谱和红外谱

汪兆平, 韩和相, 李国华, 赵学恕

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 478-483

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 478.

汪兆平, 韩和相, 李国华, 赵学恕. 氯化和氢化的无定形硅的拉曼谱和红外谱[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 478..Export: BibTex EndNote

汪兆平, 韩和相, 李国华, 赵学恕. 氯化和氢化的无定形硅的拉曼谱和红外谱[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 478...

氢原子间非键相互作用对a-Si:H振动谱的影响

朱邦芬

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 484-491

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 484.

朱邦芬. 氢原子间非键相互作用对a-Si:H振动谱的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 484..Export: BibTex EndNote

朱邦芬. 氢原子间非键相互作用对a-Si:H振动谱的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 484...

热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究

林昭烟, 张丽珠, 任宏, 许惠英, 张伯蕊, 秦国刚, 崔玉成

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 492-497

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 492.

林昭烟, 张丽珠, 任宏, 许惠英, 张伯蕊, 秦国刚, 崔玉成. 热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 492..Export: BibTex EndNote

林昭烟, 张丽珠, 任宏, 许惠英, 张伯蕊, 秦国刚, 崔玉成. 热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 492...

MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量

陈开茅, 陈凯来, 王忠安

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 498-507

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 498.

陈开茅, 陈凯来, 王忠安. MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 498..Export: BibTex EndNote

陈开茅, 陈凯来, 王忠安. MIS结构C-t过程的动力学分析及少数载流子产生寿命空间分布测量[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 498...

氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究

何宇亮, 颜永红, 殷晨钟, 玉志超, 沈学础, 朱浩荣

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 508-515

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 508.

何宇亮, 颜永红, 殷晨钟, 玉志超, 沈学础, 朱浩荣. 氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 508..Export: BibTex EndNote

何宇亮, 颜永红, 殷晨钟, 玉志超, 沈学础, 朱浩荣. 氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 508...

稀释气体对GD淀积a-Si:H膜的光电性质的影响

马洪磊, 曹宝成, 李淑英, 陆大荣

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 516-522

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 516.

马洪磊, 曹宝成, 李淑英, 陆大荣. 稀释气体对GD淀积a-Si:H膜的光电性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 516..Export: BibTex EndNote

马洪磊, 曹宝成, 李淑英, 陆大荣. 稀释气体对GD淀积a-Si:H膜的光电性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 516...

分子束外延GaAs掺Se

孔梅影, D.A.Andrews

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 523-528

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 523.

孔梅影, D.A.Andrews. 分子束外延GaAs掺Se[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 523..Export: BibTex EndNote

孔梅影, D.A.Andrews. 分子束外延GaAs掺Se[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 523...

正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术

张太平

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 529-533

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 529.

张太平. 正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 529..Export: BibTex EndNote

张太平. 正性光刻胶使用的一种新方法──低温显影技术[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 529...

Van Vechten共价半径的改进

钟学富

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 534-539

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 534.

钟学富. Van Vechten共价半径的改进[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 534..Export: BibTex EndNote

钟学富. Van Vechten共价半径的改进[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 534...

用脉冲激光把稀土元素Yb引入硅单晶中

鲁永令, 傅春寅

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 540-543

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 540.

鲁永令, 傅春寅. 用脉冲激光把稀土元素Yb引入硅单晶中[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 540..Export: BibTex EndNote

鲁永令, 傅春寅. 用脉冲激光把稀土元素Yb引入硅单晶中[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 540...

掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱

韩和相, 汪兆平, 李国华, 赵学恕, 向贤碧

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 544-546

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 544.

韩和相, 汪兆平, 李国华, 赵学恕, 向贤碧. 掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 544..Export: BibTex EndNote

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氩气氛中高纯GaAs的外延生长

林耀望, 张彦云, 李秀兰, 林兰英

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 547-549

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 547.

林耀望, 张彦云, 李秀兰, 林兰英. 氩气氛中高纯GaAs的外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 547..Export: BibTex EndNote

林耀望, 张彦云, 李秀兰, 林兰英. 氩气氛中高纯GaAs的外延生长[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 547...

一种新型的整体式镓离子源的研制

陈春华, 王纯, 张立宝, 马祥彬, 李金荣

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 550-553

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 550.

陈春华, 王纯, 张立宝, 马祥彬, 李金荣. 一种新型的整体式镓离子源的研制[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 550..Export: BibTex EndNote

陈春华, 王纯, 张立宝, 马祥彬, 李金荣. 一种新型的整体式镓离子源的研制[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 550...

用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触

朱兵, 鲍希茂, 李和生, 潘茂洪, 茅保华, 盛永喜

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 554-557

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 554.

朱兵, 鲍希茂, 李和生, 潘茂洪, 茅保华, 盛永喜. 用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 554..Export: BibTex EndNote

朱兵, 鲍希茂, 李和生, 潘茂洪, 茅保华, 盛永喜. 用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 554...

静压下GaP的拉曼散射

李国华, 赵学恕, 韩和相, 汪兆平, 唐汝明, 胡敬竹

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 558-561

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 558.

李国华, 赵学恕, 韩和相, 汪兆平, 唐汝明, 胡敬竹. 静压下GaP的拉曼散射[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 558..Export: BibTex EndNote

李国华, 赵学恕, 韩和相, 汪兆平, 唐汝明, 胡敬竹. 静压下GaP的拉曼散射[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 558...

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

莫培根, 李寿春, 李跃鑫, 高集金, 李石岭

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 562-564

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 562.

莫培根, 李寿春, 李跃鑫, 高集金, 李石岭. GaAs中子嬗变掺杂的初步研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 562..Export: BibTex EndNote

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多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较

顾宗权, 王永良

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 565-568

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 565.

顾宗权, 王永良. 多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 565..Export: BibTex EndNote

顾宗权, 王永良. 多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 565...

掺氧多晶硅薄膜的组分分析

王云珍, 陈心和, 李月珍

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 569-572

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 569.

王云珍, 陈心和, 李月珍. 掺氧多晶硅薄膜的组分分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 569..Export: BibTex EndNote

王云珍, 陈心和, 李月珍. 掺氧多晶硅薄膜的组分分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 569...

用离子注入~(31)P~+制造光掩模

刘风岐, 牛文志, 李少海, 李浩

Chin. J. Semicond. 1984, 5(5): 573-576

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(5): 573.

刘风岐, 牛文志, 李少海, 李浩. 用离子注入~(31)P~+制造光掩模[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(5): 573..Export: BibTex EndNote

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