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Volume 5, Issue 6, Jun 1984

• CONTENTS

  高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)

  周勉, 王渭源

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 577
  

  聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算

  顾宗权, 王永良

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 585
  

  蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析

  佘觉觉, 曹大年, 王维明, 昝育德, 邓惠芳, 王建华, 郁元桓

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 596
  

  亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究

  彭秀峰, 龙先灌, 王明华, 何福庆, 郭华聪

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 605
  

  微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析

  汪正孝

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 611
  

  低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟

  王季陶, 张世理, 王焕杰, 连美华

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 621
  

  AlGaP固溶体的电反射光谱

  江德生, 涂相征, 刘继光

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 631
  

  InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合

  庄蔚华, 郑宝真, 徐俊英, 李玉璋, 许继宗, 陈培力

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 638
  

  氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究

  汪兆平

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 646
  

  关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附

  车静光, 张开明, 谢希德

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 653
  

  CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质

  袁仁宽, 徐俊明

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 661
  

  SOS膜的铝自掺杂剖面

  陈庆贵, 蔡希介, 史日华, 王其闵, 陆东元

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 666
  

  用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究

  傅春寅, 鲁永令

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 671
  

  磷砷化镓离子注入层的CW CO_2激光退火研究

  马景林, 周瑞英, 李国辉, 阎凤章

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 676
  

  1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

  王圩, 张静媛, 田慧良

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 679
  

  化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构

  郭志权, 范钦梁, 黄和鸾, 邢金海

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 683
  

  掺砷锗中基态能级裂距的作用

  傅绮英

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 689
  

  分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结

  陈宗圭, 梁基本, 孙殿照, 黄运衡, 孔梅影

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 694
  

  一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管

  李凤银, 周旋, 李锦林, 曹体伦

  Chin. J. Semicond.  1984, 5(6): 698
  

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