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Volume 5, Issue 6, Jun 1984

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高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)

周勉, 王渭源

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 577-584

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 577.

周勉, 王渭源. 高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 577..Export: BibTex EndNote

周勉, 王渭源. 高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET)[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 577...

聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算

顾宗权, 王永良

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 585-595

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 585.

顾宗权, 王永良. 聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 585..Export: BibTex EndNote

顾宗权, 王永良. 聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 585...

蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析

佘觉觉, 曹大年, 王维明, 昝育德, 邓惠芳, 王建华, 郁元桓

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 596-604

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 596.

佘觉觉, 曹大年, 王维明, 昝育德, 邓惠芳, 王建华, 郁元桓. 蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 596..Export: BibTex EndNote

佘觉觉, 曹大年, 王维明, 昝育德, 邓惠芳, 王建华, 郁元桓. 蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 596...

亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究

彭秀峰, 龙先灌, 王明华, 何福庆, 郭华聪

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 605-610

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 605.

彭秀峰, 龙先灌, 王明华, 何福庆, 郭华聪. 亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 605..Export: BibTex EndNote

彭秀峰, 龙先灌, 王明华, 何福庆, 郭华聪. 亚微米厚自支撑单晶Si薄膜的沟道-背散射研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 605...

微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析

汪正孝

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 611-620

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 611.

汪正孝. 微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 611..Export: BibTex EndNote

汪正孝. 微波凹槽栅结构GaAs FET’s的有限元二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 611...

低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟

王季陶, 张世理, 王焕杰, 连美华

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 621-630

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 621.

王季陶, 张世理, 王焕杰, 连美华. 低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 621..Export: BibTex EndNote

王季陶, 张世理, 王焕杰, 连美华. 低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 621...

AlGaP固溶体的电反射光谱

江德生, 涂相征, 刘继光

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 631-637

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 631.

江德生, 涂相征, 刘继光. AlGaP固溶体的电反射光谱[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 631..Export: BibTex EndNote

江德生, 涂相征, 刘继光. AlGaP固溶体的电反射光谱[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 631...

InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合

庄蔚华, 郑宝真, 徐俊英, 李玉璋, 许继宗, 陈培力

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 638-645

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 638.

庄蔚华, 郑宝真, 徐俊英, 李玉璋, 许继宗, 陈培力. InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 638..Export: BibTex EndNote

庄蔚华, 郑宝真, 徐俊英, 李玉璋, 许继宗, 陈培力. InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 638...

氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究

汪兆平

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 646-652

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 646.

汪兆平. 氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 646..Export: BibTex EndNote

汪兆平. 氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 646...

关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附

车静光, 张开明, 谢希德

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 653-660

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 653.

车静光, 张开明, 谢希德. 关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 653..Export: BibTex EndNote

车静光, 张开明, 谢希德. 关于Cu、Ag、Au在Si和Ge表面的吸附[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 653...

CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质

袁仁宽, 徐俊明

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 661-665

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 661.

袁仁宽, 徐俊明. CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 661..Export: BibTex EndNote

袁仁宽, 徐俊明. CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 661...

SOS膜的铝自掺杂剖面

陈庆贵, 蔡希介, 史日华, 王其闵, 陆东元

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 666-670

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 666.

陈庆贵, 蔡希介, 史日华, 王其闵, 陆东元. SOS膜的铝自掺杂剖面[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 666..Export: BibTex EndNote

陈庆贵, 蔡希介, 史日华, 王其闵, 陆东元. SOS膜的铝自掺杂剖面[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 666...

用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究

傅春寅, 鲁永令

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 671-675

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 671.

傅春寅, 鲁永令. 用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 671..Export: BibTex EndNote

傅春寅, 鲁永令. 用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 671...

磷砷化镓离子注入层的CW CO_2激光退火研究

马景林, 周瑞英, 李国辉, 阎凤章

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 676-678

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 676.

马景林, 周瑞英, 李国辉, 阎凤章. 磷砷化镓离子注入层的CW CO_2激光退火研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 676..Export: BibTex EndNote

马景林, 周瑞英, 李国辉, 阎凤章. 磷砷化镓离子注入层的CW CO_2激光退火研究[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 676...

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

王圩, 张静媛, 田慧良

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 679-682

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 679.

王圩, 张静媛, 田慧良. 1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 679..Export: BibTex EndNote

王圩, 张静媛, 田慧良. 1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 679...

化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构

郭志权, 范钦梁, 黄和鸾, 邢金海

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 683-688

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 683.

郭志权, 范钦梁, 黄和鸾, 邢金海. 化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 683..Export: BibTex EndNote

郭志权, 范钦梁, 黄和鸾, 邢金海. 化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 683...

掺砷锗中基态能级裂距的作用

傅绮英

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 689-693

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 689.

傅绮英. 掺砷锗中基态能级裂距的作用[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 689..Export: BibTex EndNote

傅绮英. 掺砷锗中基态能级裂距的作用[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 689...

分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结

陈宗圭, 梁基本, 孙殿照, 黄运衡, 孔梅影

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 694-697

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 694.

陈宗圭, 梁基本, 孙殿照, 黄运衡, 孔梅影. 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 694..Export: BibTex EndNote

陈宗圭, 梁基本, 孙殿照, 黄运衡, 孔梅影. 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 694...

一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管

李凤银, 周旋, 李锦林, 曹体伦

Chin. J. Semicond. 1984, 5(6): 698-701

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1984, 5(6): 698.

李凤银, 周旋, 李锦林, 曹体伦. 一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 698..Export: BibTex EndNote

李凤银, 周旋, 李锦林, 曹体伦. 一种新颖的负阻开关器件——双向负阻晶体管[J]. Chin. J. Semicond., 1984, 5(6): 698...

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