Previous Issue
|
Next Issue
Issue Browser
Volume 6, Issue 1, Jan 1985
Table of Content
CONTENTS
硅耗尽层少子产生率的强电场效应
李志坚, 田立林, 马鑫荣
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 1-10
Abstract PDF

离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷
鲍希茂, 张新宇, 柳承恩
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 11-18
Abstract PDF

硼注入<100>硅残余缺陷的沟道研究
邹世昌, 倪如山, 张祖华
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 19-24
Abstract PDF

二硫化钛电输运过程中的散射机制
陈昕, 何青, 王桢枢, 周熙宁
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 25-31
Abstract PDF

在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱结构中的施主束缚能
刘振鹏, 李天克
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 32-40
Abstract PDF

SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱
朱文珍, 常秀勤, 李月霞, 安贵仁, 宁华
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 41-48
Abstract PDF

凹源结构场效应晶体管
潘晓明
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 49-54
Abstract PDF

MoNb-GaAs肖脱基势垒二极管的界面分析
俞鸣人, 朱福荣, 王迅, 王滨崎, 邵凯, 卜积善, 雷传仁
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 55-60
Abstract PDF

碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系
张素英, 乔怡敏
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 61-66
Abstract PDF

GaAs FETs的小讯号微波网络参数的计算和分析
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 67-75
Abstract PDF

瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究
徐立, 钱佩信, 侯东彦, 林惠旺, 李志坚, 王豫生, 阎建华, 郑胜男
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 76-81
Abstract PDF

正弦平方势及退道过程的半经典描述
罗诗裕, 刘曾荣, 邵明珠
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 82-85
Abstract PDF

一种直接由C-t参数确定未知掺杂样品产生寿命的方法
张秀淼
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 86-89
Abstract PDF

不同原子组成的长链固体的表面态
庞小峰, 夏小林
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 90-93
Abstract PDF

InP(110)表面电子能带计算
徐至中
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 94-97
Abstract PDF

新的InP位错腐蚀剂
王兢, 夏平
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 98-99
Abstract PDF

半绝缘GaAs中的深能级
周炳林, 陈正秀
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 100-103
Abstract PDF

一种汽相生长多层外延InP的方法
黄善祥
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 104-106
Abstract PDF

用离子束混合形成硅化钛
胡仁元
Chin. J. Semicond.  1985, 6(1): 107-112
Abstract PDF

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2