Journal of Semiconductors

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Volume 6, Issue 1, Jan 1985

CONTENTS

硅耗尽层少子产生率的强电场效应

李志坚, 田立林, 马鑫荣

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 1

离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷

鲍希茂, 张新宇, 柳承恩

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 11

硼注入<100>硅残余缺陷的沟道研究

邹世昌, 倪如山, 张祖华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 19

二硫化钛电输运过程中的散射机制

陈昕, 何青, 王桢枢, 周熙宁

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 25

在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱结构中的施主束缚能

刘振鹏, 李天克

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 32

SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱

朱文珍, 常秀勤, 李月霞, 安贵仁, 宁华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 41

凹源结构场效应晶体管

潘晓明

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 49

MoNb-GaAs肖脱基势垒二极管的界面分析

俞鸣人, 朱福荣, 王迅, 王滨崎, 邵凯, 卜积善, 雷传仁

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 55

碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系

张素英, 乔怡敏

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 61

GaAs FETs的小讯号微波网络参数的计算和分析

汪正孝

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 67

瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究

徐立, 钱佩信, 侯东彦, 林惠旺, 李志坚, 王豫生, 阎建华, 郑胜男

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 76

正弦平方势及退道过程的半经典描述

罗诗裕, 刘曾荣, 邵明珠

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 82

一种直接由C-t参数确定未知掺杂样品产生寿命的方法

张秀淼

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 86

不同原子组成的长链固体的表面态

庞小峰, 夏小林

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 90

InP(110)表面电子能带计算

徐至中

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 94

新的InP位错腐蚀剂

王兢, 夏平

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 98

半绝缘GaAs中的深能级

周炳林, 陈正秀

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 100

一种汽相生长多层外延InP的方法

黄善祥

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 104

用离子束混合形成硅化钛

胡仁元

Chin. J. Semicond. 1985, 6(1): 107