Journal of Semiconductors

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Volume 6, Issue 2, Feb 1985

CONTENTS

B样条函数在短沟道MOS器件直流特性模拟中的应用

严志新

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 113

780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性

余金中, 岩井莊八, 青柳克信

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 123

用RDLTS方法研究P型硅中Yb的空穴发射率与电场的关系

鲁永令, 傅春寅, 曾树荣

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 128

混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应

王占国

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 132

以空穴层为表面层的第Ⅱ类半无限半导体超晶格中的表面集体激发模式

秦国毅

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 142

多晶硅薄膜干氧氧化特性的研究

张爱珍, 王阳元

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 150

用冷阴极电子束快速处理金属-硅薄膜生成硅化物

杜元成, 鲁钟, 郁曾期, 孙迭篪, 李富铭, G.J.Collions

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 159

InP氯化物气相外延的热力学分析

陆大成

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 166

注砷硅超固溶度热弛豫特性的沟道研究

王豫生, 阎建华, 郑胜男, 徐立, 钱佩信

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 173

光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布

陈自姚, 邵永富, 朱福英, 彭瑞伍

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 181

用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度

谭长华, 许铭真

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 185

氧在InP(111)面上吸附的CLS、AES和XPS研究

戴道宣, 朱福荣

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 190

用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入

苏九令, 包宗明, 王昌平, 陆桂华, 倪玫, 陈肯, 杨中柱, 黄正义, 吴树恩

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 195

微波凹槽栅结构GaAs FET’s的最佳凹槽深度的选择的讨论

汪正孝

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 199

在蓝宝石上低温外延硅

杨光荣, 王向明, 秦复光

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 203

用压电传感器研究半导体中的电子-声子的相互作用

李增发, 张光寅, 钱华, 王文斌

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 208

Pt/InP界面反应形成磷化铂的证据

戴道宣, 唐厚舜, 姜国宝

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 212

a-Si:H样品的光诱导光电导可逆变化和红外振动吸收

戴国才, 余亦舜, 周玉芳, 张德俊, 张仪凤, 马洪磊, 罗文秀

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 218

评“K_(CMR)的一个测试方法”

易明銧

Chin. J. Semicond. 1985, 6(2): 221