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Volume 6, Issue 3, Mar 1985
Table of Content
CONTENTS
SOI结构中的薄体效应
王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 225-235
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硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱
李志坚, 周海平, 马鑫荣
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 236-244
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(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级
高季林, 吴荣汉, 李照银, 高淑芬
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 245-249
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可调恒流管温度特性的研究
吕品桢, 单郑生, 汤子康
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 250-256
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GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响
陈克铭, 王森, 仇兰华, 陈维德
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 257-267
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微处理器测试图案产生方法研究
李云岗, 林雨
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 268-274
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分段压缩平面共腔条形激光器
杜国同, 肖建伟, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 275-280
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GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴
郑一阳
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 281-288
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n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究
姚秀琛, 元民华, 秦国刚, 丁墨元, 施益和, 钱思敏
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 289-297
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半经验CNDO自洽场分子轨道法在共价半导体研究中的应用
吴汲安
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 298-303
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关于半导体激光器中光子密度的速率方程
王守武, 王仲明
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 304-306
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贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定
潘士宏, Nathan Newman, T.Kendelewicz, W.G.Petro
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 307-310
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In_(1-x)Ga_xAs液相外延片组分一致性的控制方法
彭少近, 卢文宏, 郑国宪
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 311-316
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单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系
吴仲墀, 赵有源, 高如芳, 钱佑华
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 317-319
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Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系
潘姬, 齐建华, 赵鸿麟, 汪一沙, 王春亮
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 320-322
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高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响
张仿清, 张南屏, 余光明, 汤训虎, 陈光华
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 323-325
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气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量
吕惠云, 武锦华, 尹恩华, 刘昌灵, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 326-328
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硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源
张一心, 程美乔
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 329-332
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Ni_3Si的键合及电子结构
徐永年, 徐建华
Chin. J. Semicond.  1985, 6(3): 333-338
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