Journal of Semiconductors

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Volume 6, Issue 3, Mar 1985

CONTENTS

SOI结构中的薄体效应

王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 225

硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱

李志坚, 周海平, 马鑫荣

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 236

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

高季林, 吴荣汉, 李照银, 高淑芬

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 245

可调恒流管温度特性的研究

吕品桢, 单郑生, 汤子康

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 250

GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响

陈克铭, 王森, 仇兰华, 陈维德

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 257

微处理器测试图案产生方法研究

李云岗, 林雨

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 268

分段压缩平面共腔条形激光器

杜国同, 肖建伟, 高鼎三

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 275

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴

郑一阳

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 281

n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究

姚秀琛, 元民华, 秦国刚, 丁墨元, 施益和, 钱思敏

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 289

半经验CNDO自洽场分子轨道法在共价半导体研究中的应用

吴汲安

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 298

关于半导体激光器中光子密度的速率方程

王守武, 王仲明

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 304

贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定

潘士宏, Nathan Newman, T.Kendelewicz, W.G.Petro

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 307

In_(1-x)Ga_xAs液相外延片组分一致性的控制方法

彭少近, 卢文宏, 郑国宪

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 311

单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系

吴仲墀, 赵有源, 高如芳, 钱佑华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 317

Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系

潘姬, 齐建华, 赵鸿麟, 汪一沙, 王春亮

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 320

高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响

张仿清, 张南屏, 余光明, 汤训虎, 陈光华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 323

气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量

吕惠云, 武锦华, 尹恩华, 刘昌灵, 孔光临

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 326

硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源

张一心, 程美乔

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 329

Ni_3Si的键合及电子结构

徐永年, 徐建华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 333